[发明专利]液处理装置、液处理方法和存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及向基板供给处理液，对基板进行液处理的液处理装置、液处理方法和存储介质。

背景技术

在半导体制造工序的光刻工序中，向作为基板的半导体晶片(以下，称为晶片)的表面供给抗蚀剂等的各种各样的处理液。在进行该光刻工序的涂覆、显影装置上设置有供给各处理液的液处理装置。

作为液处理装置的一例，有抗蚀剂涂覆装置。该抗蚀剂涂覆装置例如具备用于涂覆抗蚀剂的涂覆处理部，该涂覆处理部具备保持晶片的保持部和包围上述保持部所保持的晶片的侧周、防止抗蚀剂的飞散的罩等。

为了提高生产率，上述涂覆处理部在抗蚀剂涂覆装置上设置多个，在各涂覆处理部上能够同时对晶片进行处理。为了减少成本和空间，有多个涂覆处理部共用供给抗蚀剂的喷嘴的情况。这种情况下，支撑在臂上的喷嘴，在横向排列的罩上，沿该罩的排列方向移动，向罩内的各晶片供给抗蚀剂。例如，专利文献1中记载了这样的抗蚀剂涂覆装置。

此外，近年来，随着半导体制品的多品种化，使用各种各样种类的抗蚀剂。因此，存在构成为在上述臂上安装供给各种不同种类的抗蚀剂的喷嘴，使各喷嘴一起移动的情况。但是，如果是这种结构，则在维修一个喷嘴的情况下，所有的喷嘴都移动到涂覆处理部的外部设置的待机区域，使停止处理。但是，存在这样进行一个喷嘴的维修期间，其他的喷嘴进行晶片的处理，以提高生产率的要求。

专利文献2中，记载了如下液处理装置，其包括：在多个罩的排列方向延伸的导轨；具有沿着导轨的长度方向移动的基部和多个喷嘴的喷嘴待机部；和在与基部的移动方向正交的方向进退的臂。该液处理装置，向各罩的面前侧导引基部和喷嘴待机部使其移动，并且上述臂的前端部从喷嘴待机部接受喷嘴，向罩上方移动，进行处理。但是，为了使得喷嘴待机部和基部向罩的面前侧移动，必须以靠在各罩的面前侧的方式设置上述导轨，因此具有增大装置的设置面积的问题。

此外，上述专利文献1中，3个罩设置为直线状。处理晶片时，从一端向另一端的罩跨过中间的罩移动，但是，处理喷嘴通过该罩上方时，处理液从处理喷嘴滴到上述晶片，有可能发生缺陷。结果，有可能造成成品率下降。

【专利文献1】日本特开2010-045185

【专利文献2】日本特开2010-34210(图1和图8)

发明内容

本发明考虑到上述事实而提出的，其目的在于提供一种液处理装置，其能够对基板的处理中不使用的处理喷嘴进行维修，提高生产率并且实现省空间化得技术。

本发明的液处理装置包括：

彼此在左右方向设置，用于水平配置各个基板，并通过来自喷嘴的处理液进行处理的第一处理区域和第二处理区域；

相对于这些第一处理区域和第二处理区域的并列设置在后方侧，并围绕铅直轴转动自如的转动基体；

在上述第一处理区域和第二处理区域的外侧以待机状态设置在上述转动基体上，被上述第一处理区域和第二处理区域所共用，用于向基板供给各种不同的处理液的多个处理喷嘴；

设置在转动基体上并且具备进退自如的喷嘴保持部，通过上述喷嘴保持部保持从多个处理喷嘴中选择的处理喷嘴，并向从上述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域输送的喷嘴输送机构；和

使得转动基体旋转，以相对于上述转动基体，使从上述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域与喷嘴保持部的进退方向的前方侧相对的旋转驱动部。

本发明的液处理方法包括：

在彼此在左右方向设置的、用于通过来自喷嘴的处理液进行处理的第一处理区域和第二处理区域水平配置各个基板的工序；

使相对于这些第一处理区域和第二处理区域的并列设置在后方侧的转动基体围绕铅直轴转动的工序；

使上述转动基体上设置的、被上述第一处理区域和上述第二处理区域共用的多个处理喷嘴在上述第一处理区域和第二处理区域的外侧待机的工序；

从各处理喷嘴向基板供给各种不同的处理液的工序；

设置在上述转动基体上并且具备进退自如的喷嘴保持部，由上述喷嘴保持部保持从多个处理喷嘴中选择的处理喷嘴的工序；

通过喷嘴输送机构将喷嘴保持部输送到从上述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域的工序；

通过旋转驱动部使转动基体转动，以相对于上述转动基体，使从上述第一处理区域和第二处理区域中选择的处理区域与喷嘴保持部的进退方向的前方侧相对的工序。

本发明的存储介质存储对基板进行液处理的液处理装置中使用的计算机程序，

上述计算机程序用于实施上述液处理方法。