[发明专利]一种应变硅NMOS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110259901.9 | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102280379A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 曾少海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应变 nmos 器件 制造 方法 | ||
1.一种应变硅NMOS器件的制造方法，包括：
提供一半导体基底，所述半导体基底上具有栅极；
在所述栅极侧壁上形成边墙，以保护所述栅极；
在所述栅极两侧的半导体基底中刻蚀形成源极凹槽和漏极凹槽；
沉积掺碳氧化硅直至填充所述源极凹槽和漏极凹槽；
去除所述源极凹槽和漏极凹槽外的掺碳氧化硅；
在所述半导体基底和所述栅极上沉积应力层。
2.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，所述掺碳氧化硅采用离子增强化学气相沉积工艺沉积形成。
3.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，沉积所述掺碳氧化硅的工艺温度是300℃～400℃，反应气体为硅烷，甲烷和氧气。
4.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，所述应力层的材质为氮化硅。
5.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，所述应力层采用离子增强化学气相沉积工艺生成。
6.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，形成所述应力层的工艺温度是250℃～400℃，反应气体为硅烷和氨气。
7.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，所述应力层的厚度为30nm～70nm。
8.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，所述应力层具有张应力，所述张应力大于1.2GPa。
9.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，去除所述源极凹槽和漏极凹槽外的掺碳氧化硅采用RIE干法刻蚀去除。
10.如权利要求1所述的一种应变硅NMOS器件的制造方法，其特征在于，源极凹槽和漏极凹槽深度为500nm～550nm。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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