[发明专利]一种锗基MOS器件衬底的表面钝化方法

权利要求书

1.一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，其步骤包括：

1)选择半导体锗衬底；

2)对上述半导体锗衬底进行清洗，并且去除衬底表面的自然氧化层；

3)对上述半导体锗衬底进行GeF₄和NH₃或NF₃的混合气体的等离子体处理；或者对上述半导体锗衬底进行含氟锗氢化合物和NH₃或NF₃的混合气体的等离子体处理，以实现在衬底表面淀积氮化锗；

4)淀积高K栅介质，进行退火处理。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤1)中，锗衬底是体Ge衬底、硅上外延锗衬底或GeOI衬底。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中的清洗步骤为有机清洗和盐酸清洗。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2)中去除锗衬底表面的自然氧化层采用高温真空退火的方法，或采用HCl、HF溶液浸泡的方法。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3)中混合气体的组合是：a)GeF₄与NH₃；b)GeF₄与NF3；c)含氟锗氢化合物与NH₃；d)含氟锗氢化合物与NF₃，其中，NH₃或NF₃在混合气体中所占的体积百分比为75％～90％。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤3)中氮化锗的厚度范围是

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4)中淀积的高K栅介质是Al₂O₃、Y₂O₃、HfO₂、ZrO₂、GeO₂或La₂O₃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4)中的退火是在N₂、H₂、NO、N₂O、NH₃或O₂气氛中进行。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤4)之后，淀积金属栅、FUSI栅或FUGE栅。