[发明专利]一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种检验光刻工艺的方法，尤其涉及一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法。

背景技术

在先进光刻工艺中， 曝光后烘烤（Post Exposure Bake，简称PEB）是一个十分重要的步骤。烘烤温度的变化会影响最终成像的光刻特征尺寸，称为曝光后烘烤敏感度（PEB Sensitivity）。在新建立光刻工艺时，需要对该项影响程度做出评估。现存做法是改变曝光后烘烤的温度，选择一个或多个所关心的特征尺寸，进行电子显微镜下的线宽量测，这样可以观测到一个或多个特征尺寸在曝光后烘烤温度发生偏移时的尺寸变化。但是对于潜在的在整个版图中可能产生的光刻缺陷和光刻规则错误，则无法检测到。

发明内容

针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种利用曝光后烘烤的光学临近效应模型（OPC模型）检验光刻工艺的方法，通过建立曝光后不同烘烤温度下的OPC模型，可以确定在温度不同时光刻后图形所产生的变化，并且通过与原有设计图形进行对比计算，从而预先确定了温度变化可能引起的光刻图形的变化缺陷，并可据此数据，重新确定光刻工艺条件，不断完善光刻工艺。

本发明的目的是通过下述技术方案实现的：

一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法，其中，包括以下步骤：

    建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；

    采集原始光刻版图数据；

    确定一烘烤上限温度，在衬底上涂抹一层光刻胶并对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集光刻胶曝光后在上限温度条件下烘烤所获得的光刻图形的数据，建立第一OPC模型；

    确定一烘烤下限温度，在衬底上涂抹一层所述光刻胶对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集光刻胶曝光后在下限温度条件下烘烤所获得的光刻图形的数据，建立第二OPC模型；

    利用原始光刻版图数据，分别对所述第一OPC模型、所述第二OPC模型进行光刻规则检查，并确定原始光刻版图数据是否存在光刻缺陷。

上述的新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法，其中，所述曝光后烘烤的上限温度、下限温度分别是正常的烘烤温度上下浮动10℃。

上述的新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺方法，其中，在所述建立光刻工艺步骤中，所述确定工艺条件包括预先确定一曝光后烘烤所需的温度值。

与已有技术相比，本发明的有益效果在于： 

本发明通过建立基于不同曝光后烘烤温度的对应OPC模型：即对可能产生的曝光后烘烤温度上限建立一个OPC模型；对可能产生的曝光后烘烤温度下限建立一个OPC模型。然后通过对整个版图利用这两组OPC模型进行仿真和光刻规则检查（LRC），可以检测到，在整个版图区域，在可能发生的曝光后烘烤温度发生变化时，光刻特征尺寸变化范围是否超过要求或有无特定的光刻缺陷产生。

并且，根据所确定的缺陷变化不断地矫正光刻工艺条件，使光刻条件及所选取的光刻胶的曝光后烘烤灵敏度（PEB Sensitivity）处在最佳条件，增大了光刻工艺窗口，确保了在光刻设备曝光后烘烤温度发生异常时，对光刻特征尺寸不会产生大的影响及产生影响良率的光刻缺陷。对光刻曝光后烘烤温度变化产生的光刻缺陷，依照本方法建立温度变化后的OPC模型，可以成功在光刻规则检查中被检测到。

附图说明

图1是一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法的结构示意图。

图2是一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法的流程图。

具体实施方式

下面结合原理图和具体操作实施例对本发明作进一步说明。

如图2所示，本发明的一种本发明新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法流程图，其中，包括以下步骤：

S1：建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；

在此步骤中，根据光刻的需要，预先确定光刻的工艺条件参数，包括预先确定在正常工艺流程下光刻胶在光刻工艺中曝光后烘烤所需的温度值。

S2：采集原始光刻版图数据；

在此步骤中，确定需要光刻形成的设计图形，采集确定该原始光刻版图数据，所采集的原始光刻版图数据至少包括原始光刻版图的关键尺寸（CD）等数据信息，并且原始光刻版图为正常生产或流片所用到的掩模板的光刻版图；

S3: 确定一烘烤上限温度，在衬底上涂抹一层光刻胶并对光刻胶进行曝光、烘烤，采集曝光后烘烤的数据、仿真，建立第一OPC模型；