[发明专利]一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法有效
| 申请号： | 201110250286.5 | 申请日： | 2011-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102540773A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 魏芳;张辰明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 利用 曝光 烘烤 opc 模型 检验 光刻 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法，其特征在于，包括以下步骤：
建立光刻工艺，确定光刻工艺条件；
采集原始光刻版图数据；
确定一烘烤上限温度，在衬底上涂抹一层光刻胶并对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集光刻胶曝光后在上限温度条件下烘烤所获得的光刻图形的数据，建立第一OPC模型；
确定一烘烤下限温度，在衬底上涂抹一层所述光刻胶对所述光刻胶进行曝光、烘烤，采集光刻胶曝光后在下限温度条件下烘烤所获得的光刻图形的数据，建立第二OPC模型；
利用原始光刻版图数据，分别对所述第一OPC模型、所述第二OPC模型进行光刻规则检查，并确定原始光刻版图数据是否存在光刻缺陷。
2.根据权利要求1所述的新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺的方法，其特征在于，所述曝光后烘烤的上限温度、下限温度分别是正常的烘烤温度上下浮动10℃。
3.根据权利要求1所述的新型的利用曝光后烘烤的OPC模型检验光刻工艺方法，其特征在于，在所述建立光刻工艺步骤中，所述确定工艺条件包括预先确定一曝光后烘烤所需的温度值。
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