[发明专利]减少窄沟道效应的工艺方法有效
| 申请号： | 201110242383.X | 申请日： | 2011-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102956534A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 韩峰;段文婷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 沟道 效应 工艺 方法 | ||
1.一种减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于，在制作浅沟槽隔离时包括如下步骤：
步骤一、在衬底上刻蚀出浅槽；
步骤二、在所述浅槽中依次淀积底部隔离介质、掺杂多晶硅和顶部隔离介质，所述底部隔离介质、所述掺杂多晶硅和所述顶部隔离介质将所述浅槽完全填充；
步骤三、刻蚀部分所述掺杂多晶硅；
步骤四、淀积第三隔离介质，所述第三隔离介质将被刻蚀掉的部分所述掺杂多晶硅的位置完全填充并最后形成所述浅沟槽隔离，剩余的部分所述掺杂多晶硅被埋于所述浅沟槽隔离内部；
步骤五、形成金属接触将所述掺杂多晶硅从所述浅沟槽隔离内部引出并与晶体管的源极和背栅的金属接触短接并都保持接地电位。
2.如权利要求1所述的减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于：步骤一中所述浅槽深度约0.3μm～0.5μm。
3.如权利要求1所述的减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述底部隔离介质和所述顶部隔离介质都为氧化硅，所述底部隔离介质的厚度不低于所述浅槽深度的1/3、所述顶部隔离介质的厚度不低于所述浅槽深度的1/3。
4.如权利要求1所述的减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述掺杂多晶硅的掺杂P型杂质，杂质体浓度为1.0E18cm-3～1.0E21cm-3。
5.如权利要求4所述的减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述掺杂多晶硅的掺杂杂质为硼。
6.如权利要求1所述的减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述掺杂多晶硅的掺杂N型杂质，杂质体浓度为1.0E18cm-3～1.0E21cm-3。
7.如权利要求6所述的减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于：步骤二中所述掺杂多晶硅的掺杂杂质为磷或砷。
8.如权利要求1所述的减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于：步骤三中所述刻蚀的深度不超过所述顶部隔离介质的厚度。
9.如权利要求1所述的减少窄沟道效应的工艺方法，其特征在于：步骤五中所述掺杂多晶硅的金属接触是穿过所述顶部隔离介质和所述掺杂多晶硅相接触。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
