[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110234502.7 | 申请日： | 2011-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102938415A | 公开（公告）日： | 2013-02-20 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括衬底、位于衬底中的沟道区、位于衬底中的源漏区、位于沟道区上的栅极堆叠结构、位于栅极堆叠结构两侧的侧墙、位于侧墙两侧的源漏区上的提升源漏，其特征在于：提升源漏由金属硅化物构成，源漏区与提升源漏之间具有外延生长的超薄金属硅化物。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，源漏区包括源漏延伸区和重掺杂源漏区。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，外延生长的超薄金属硅化物与侧墙下方的沟道区接触。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，外延生长的超薄金属硅化物包括NiSi2-y(0≤y＜1)、Ni1-xPtySi2-y(0＜x＜1，0≤y＜1)、CoSi2-y(0≤y＜1)或Ni1-xCoySi2-y(0＜x＜1，0≤y＜1)。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，衬底为Si、S0I、SiGe或SiC。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，构成提升源漏的金属硅化物包括NiSi2-y(0≤y＜1)、Ni1-xPtySi2-y(0＜x＜1，0≤y＜1)、CoSi2-y(0≤y＜1)、Ni1-xCoySi2-y(0＜x＜1，0≤y＜1)、Ni(Si1-zGez)2-y(0＜z＜1，0≤y＜1)、Ni1-xPty(Si1-zGez)2-y(0＜z＜1，0＜x＜1，0≤y＜1)、Co(Si1-zGez)2-y(0＜z＜1，0≤y＜1)、Ni1-xCoy(Si1-zGez)2-y(0＜z＜1，0＜x＜1，0≤y＜1)、Ni(Si1-zCz)2-y(0＜z＜1，0≤y＜1)、Ni1-xPty(Si1-zCz)2-y(0＜z＜1，0＜x＜1，0≤y＜1)、Co(Si1-zCz)2-y(0＜z＜1，0≤y＜1)或Ni1-xCoy(Si1-zCz)2-y(0＜z＜1，0＜x＜1，0≤y＜1)。
7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，栅极堆叠结构包括栅极介质和栅极，栅极介质包括氧化硅、氮氧化硅或高k材料，栅极包括掺杂多晶硅、金属、金属合金或金属氮化物，提升源漏时对其进行原位n型或p型掺杂。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，提升源漏为单层或者多层。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其中分别构成多层的提升源漏的金属硅化物材质相同或不同。
10.一种半导体器件制造方法，包括：
步骤A、在衬底上形成栅极堆叠结构以及侧墙；
步骤B、在衬底中形成源漏区，源漏区之间构成沟道区；
步骤C、在源漏区中形成外延生长的超薄金属硅化物；
步骤D、在侧墙两侧提升源漏；
步骤E、在提升的源漏上淀积金属薄层；
步骤F、退火并剥除未反应金属薄层，形成金属硅化物的提升源漏。
11.如权利要求10的半导体器件制造方法，其中，依次以栅极堆叠结构和侧墙为掩模，两次注入形成源漏延伸区和重掺杂源漏区构成的源漏区。
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