[发明专利]MEMS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110233506.3 | 申请日： | 2011-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN102303844A | 公开（公告）日： | 2012-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑晨焱;张挺 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底上形成有沟槽；
沉积多晶硅或无定型硅层，所述多晶硅或无定型硅层填充所述沟槽以实现封口工艺，并覆盖所述基底的表面；
对覆盖在所述基底表面上的多晶硅或无定型硅层进行图形化，以形成与所述MEMS器件配合使用的半导体器件的图形。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，在沉积所述多晶硅或无定型硅层的同时，还通入反应气体以对所述多晶硅或无定型硅层进行掺杂。
3.根据权利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述反应气体为含硼或含磷或含砷或锑的气体。
4.根据权利要求2所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述对覆盖在所述基底表面上的多晶硅或无定型硅层进行图形化，形成半导体器件的图形包括：对覆盖在所述基底表面上的多晶硅或无定型硅层进行图形化，以形成电阻的图形、电感线圈的图形、电容极板的图形、类似于良导体的电流导线的图形其中之一或任意组合。
5.根据权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，在沉积多晶硅或无定型硅层之前还包括：对所述沟槽底部的基底进行刻蚀以在所述基底中形成空腔，所述沟槽与所述空腔连通。
6.根据权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，在沉积多晶硅或无定型硅层之后，对覆盖在所述基底表面上的多晶硅或无定型硅层进行图形化之前或之后，还包括对所述多晶硅或无定型硅层进行退火，以得到合适的方块电阻/电阻率的电学参数并形成稳定的多晶硅。
7.根据权利要求1所述的MEMS器件的形成方法，其特征在于，使用化学气相沉积、低压化学气相沉积或原子层沉积形成所述多晶硅或无定型硅层。
8.一种MEMS器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底上形成有沟槽；
填充所述沟槽的多晶硅或无定型硅层；
位于所述基底表面上的半导体器件的图形，所述半导体器件的图形的材料为多晶硅或无定型硅。
9.根据权利要求8所述的MEMS器件，其特征在于，所述多晶硅或无定型硅层和半导体器件的图形中具有掺杂离子。
10.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述掺杂离子为硼离子或磷离子或砷离子或锑离子。
11.根据权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述半导体器件的图形包括电阻的图形、电感线圈的图形、电容极板的图形、类似于良导体的电流导线的图形其中之一或任意组合。
12.根据权利要求8所述的MEMS器件，其特征在于，所述沟槽下方的基底中还形成有空腔，所述沟槽与所述空腔连通。
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