[发明专利]降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案

权利要求书

1.一种降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，对一化学气象淀积设备的工艺腔室进行高流动性清洗，然后进行底流动清洗；对工艺腔室进行H2钝化；在工艺腔室内壁进行预敷层工艺，其特征在于，在H2钝化工艺与预敷层工艺之间还包括：对工艺腔室进行O2钝化工艺。

2.根据权利要求1所述的降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，其特征在于，在H2钝化工艺后工艺腔室内填充有Al2O2(OH)，O2钝化工艺具体为：在工艺腔室内通入O2，激活Al2O2(OH)中的O取代H，从而消除Al-OH 悬挂键，同时反应恢复Al2O3，以修复之前工艺对圆顶的损伤。

3.根据权利要求2所述的降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，其特征在于，O2钝化工艺还包括：在工艺腔室内通入载气，以起到催化气体离化的作用。

4.根据权利要求3所述的降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，其特征在于，O2钝化工艺中通入的载气为Ar气体。

5.根据权利要求3所述的降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，其特征在于，O2钝化工艺中通入的载气为He或H2。

6.根据权利要求4所述的降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，其特征在于，O2钝化工艺中将O2气体与Ar气体的比例控制在O2:Ar=1:3.7。

7.根据权利要求4所述的降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，其特征在于，O2钝化工艺中将O2气体与Ar气体的总流量控制在155sccm，O2流量为33sccm，Ar气体流量为122sccm。

8.根据权利要求1~7任一所述的降低高密度等离子体化学气象淀积工艺的颗粒的清洗方案，其特征在于，O2钝化工艺的时间控制在60S。