[发明专利]半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光方法。

背景技术

目前高功率半导体激光器芯片制作工艺所面临的主要问题是P面清洗不干净，N面抛光质量不好。如果半导体激光器的P面清洗不干净，N面抛光质量不好，会使半导体激光器的欧姆接触不好，N面金丝键合不上，串联电阻高，电光转换效率低，这在很大程度上限制了半导体激光器的制作工艺，同时也限制了半导体激光器的实际应用。

目前国内半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光采用手工操作方式，重复性差，质量不好。手工操作即操作者先将清洗(抛光)液倒入培养皿里，再用镊子将半导体激光器芯片放到培养皿里，使半导体激光器芯片在清洗(抛光)液里浸泡一定的时间，达到清洗(抛光)的效果。由于半导体激光器芯片和清洗(抛光)液在培养皿里是静止不动的，清洗(抛光)液溶解的沾污和杂质会聚集在清洗(抛光)液里，使清洗(抛光)液纯度降低，清洗(抛光)效果变差，清洗(抛光)质量不好。另外，手工操作存在的缺点还有清洗(抛光)时间长，重复性差，良率差，效率低。

发明内容

针对现有技术手工操作方式存在的清洗(抛光)时间长，重复性差，清洗(抛光)质量不好，本发明提供一种半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光方法，其原理是利用机械方法将半导体激光器芯片以高速转速旋转起来，在旋转过程中通过不断向半导体激光器芯片表面喷射超声雾化小雾滴而达到清洗(抛光)半导体激光器芯片目的的一种方法。在清洗(抛光)半导体激光器芯片前，调节低速调节钮26、低速运转时间25、高速调节钮27和高速运转时间28，打开真空泵1，将半导体激光器芯片放到承片盘22上，打开电源开关24，按吸片键210，使半导体激光器芯片吸附在承片盘22上，将准备好的清洗(抛光)液放进超声雾化器3里，调节定时旋钮32和雾量调节钮34，按启动键29，启动高速旋转真空载台2，使半导体激光器芯片旋转起来，打开电源键33，运行超声雾化器3，产生超声雾化小雾滴对半导体激光器芯片进行清洗(抛光)。

本发明包括真空泵1，抽气管11，高速旋转真空载台2，防护罩21，承片盘22，转速显示23，电源开关24，低速运转时间25，低速调节钮26，高速调节钮27，高速运转时间28，启动键29，吸片键210，超声雾化器3，波纹管31，定时旋钮32，电源键33，雾量调节钮34；真空泵1通过抽气管11连接到高速旋转真空载台2上，提供真空以便承片盘22吸附半导体激光器芯片，高速旋转真空载台2带动承片盘22转动，使半导体激光器芯片高速旋转；超声雾化器3提供超声雾化清洗(抛光)小雾滴，小雾滴直接喷射到高速旋转的半导体激光器芯片上，进行清洗(抛光)。

使用本发明清洗(抛光)半导体激光器芯片P面(N面)包括以下步骤：

用酒精棉签擦拭承片盘22，将承片盘22放到高速旋转真空载台2上；

调节好低速调节钮26、低速运转时间25、高速调节钮27和高速运转时间28；

打开真空泵1，将半导体激光器芯片放到承片盘22上，对准半导体激光器芯片和承片盘22的中心位置，防止承片盘22在旋转时将半导体激光器芯片抛出去；

将准备好的清洗(抛光)液放进超声雾化器3里，调节好定时旋钮32和雾量调节钮34；

按启动键29，启动高速旋转真空载台2，使半导体激光器芯片旋转起来；

打开电源键33，运行超声雾化器3，产生超声雾化小雾滴，小雾滴直接喷射到芯片上，进行清洗(抛光)；

待清洗(抛光)完后，关闭超声雾化器3，关闭高速旋转真空载台2，关闭真空泵1，取下半导体激光器芯片用去离子水冲洗，直至将清洗(抛光)液去掉为止。

有益效果：本发明抑制了清洗(抛光)液的二次污染，保证了芯片表面清洗(抛光)液的纯度，重复性好，效率高，可有效的提高半导体激光器芯片P面清洗和N面抛光质量。本发明结构简单，操作方便，制作成本低，适用于各种半导体激光器P面清洗、N面抛光及其他半导体光电子芯片的清洗(抛光)等。

附图说明

图1是本发明立体结构示意图。图1中包括真空泵1，抽气管11，高速旋转真空载台2，防护罩21，承片盘22，转速显示23，电源开关24，低速运转时间25，低速调节钮26，高速调节钮27，高速运转时间28，启动键29，吸片键210，超声雾化器3，波纹管31，定时旋钮32，电源键33，雾量调节钮34。

具体实施方式：

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明，但本发明不限于实施例。

本发明包括真空泵1，抽气管11，高速旋转真空载台2，防护罩21，承片盘22，转速显示23，电源开关24，低速运转时间25，低速调节钮26，高速调节钮27，高速运转时间28，启动键29，吸片键210，超声雾化器3，波纹管31，定时旋钮32，电源键33，雾量调节钮34；用酒精棉签擦拭承片盘22，将承片盘22放到高速旋转真空载台2上；调节好低速调节钮26、低速运转时间25、高速调节钮27和高速运转时间28；打开真空泵1，将808nm半导体激光器芯片N面朝上放到承片盘22上，对准808nm半导体激光器芯片和承片盘22的中心位置；将准备好的抛光液放进超声雾化器3里，调节好定时旋钮32和雾量调节钮34；按启动键29，启动高速旋转真空载台2，使808nm半导体激光器芯片旋转起来；打开电源键33，运行超声雾化器3，产生超声雾化小雾滴，小雾滴直接喷射到芯片上，进行抛光；待抛光完后，关闭超声雾化器3，关闭高速旋转真空载台2，关闭真空泵1，取下808nm半导体激光器芯片用去离子水冲洗，直至将抛光液去掉为止，最后放入到真空镀膜机里，以便蒸镀N面金属膜。