[发明专利]一种静电抑制器及该静电抑制器的制备方法

权利要求书

1.一种超低容量静电抑制器，包括ZnO基体和电极，该电极设置于ZnO基体的两端，其特征在于：所述的ZnO基体上还设置有Mg-Zn-Ti基体，该Mg-Zn-Ti基体按摩尔比4∶1∶5的MgO、ZnO、TiO₂粉料配比而成。

2.根据权利要求1所述的超低容量静电抑制器，其特征在于：所述的Mg-Zn-Ti基体与ZnO基体的厚度比大于或等于1∶1。

3.根据权利要求1所述的超低容量静电抑制器，其特征在于：所述的Mg-Zn-Ti基体与ZnO基体的厚度比大于或等于4∶1。

4.一种权利要求1的静电抑制器的制备方法，其特征在于：包括下列步骤制得：

(1)制浆：ZnO、Mg-Zn-Ti粉体分别配置浆料，该Mg-Zn-Ti粉体按摩尔比4∶1∶5的MgO、ZnO、TiO₂粉料进行配比；

(2)流延：将上述配制好的浆料通过流延机制得厚度为20～40μm的膜片；

(3)叠层：叠层总厚为800μm～1200μm，Mg-Zn-Ti与Zn膜片厚度比大于或等于1∶1；

(4)压坯：将叠好的坯块密封，在40℃～60℃热水中等静压15min～30min；

(5)切割：将上述静压后的膜片进行切割；

(6)排胶、烧结：将上述切割后的膜片在250℃～400℃条件下进行排除有机粘合剂，排胶完成的芯片在800℃～1000℃下烧结1h～3h，得到静电抑制器的芯片；

(7)退火步骤，将所述烧结后的芯片在400℃～600℃退火30min；

(8)批银及表面处理，通过在芯片的两端设置银电极，再进行表面处理得到所述的静电抑制器。

5.根据权利要求4所述的静电抑制器的制备方法，其特征在于：所述的(1)步骤中，MgO、ZnO、TiO₂粉料混合后，在800℃～1000℃下预烧结得到Mg_0.8Zn_0.2TiO₃粉体，再将Mg-Zn-Ti粉体与预合成的Al₂O₃-SiO₂-BiO₂玻璃料按质量比96∶4混合制得Mg-Zn-Ti基体。