[发明专利]静电保护电路

权利要求书

1.一种芯片上的静电保护电路，所述静电保护电路包括压焊区和设置于压焊区下的静电保护器件，其特征在于，所述压焊区与所述静电保护器件的部分区域共享芯片面积。

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护器件为N型场效应晶体管、P型场效应晶体管或者可控硅整流器。

3.根据权利要求2所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护器件包括栅极、源极、漏极和衬底，所述漏极位于所述压焊区下以与所述压焊区共享区域。

4.根据权利要求3所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路所在的芯片具有一个金属层，所述压焊区位于所述金属层中，所述漏极通过漏极接触孔与所述压焊区连接，所述源极和衬底通过接触孔连接至所述金属层对应的金属上。

5.根据权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于，所述源极和衬底与金属层中的同一片金属连接。

6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括位于芯片外边缘的封闭环，连接所述源极和衬底的金属在芯片外边缘与所述封闭环上的金属共享。

7.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，压焊区金属到其相邻金属的间距大于等于1.5um。

8.根据权利要求4所述的静电保护电路，其特征在于，围绕所述压焊区形成有所述栅极，围绕所述栅极形成有所述源极和所述衬底，所述漏极和所述源极之间形成有沟道，在沟道和所述栅极之间有氧化层。

9.根据权利要求8所述的静电保护电路，其特征在于，

所述源极为N+有源区，所述衬底为P+有源区，

所述漏极由N+有源区、N型阱及阱中的P+有源区构成，所述N型阱中的P+有源区通过接触孔与所述压焊区金属连接，所述漏极的N+有源区也通过接触孔与所述压焊区金属连接，N型阱、源极的N+有源区、衬底的P+有源区形成于P型基底上，这样N阱中的P+有源区、N阱、P型基底、源极N+有源区形成P-N-P-N结构。