[发明专利]发光二极管元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管元件(Light Emitting Diode；LED)结构，特别是涉及一种具有高反射性的布拉格反射层的水平发光二极管元件的结构。 

背景技术

传统的发光二极管元件其活性层产生的光往下入射至砷化镓基板时，由于砷化镓能隙较小，入射光会被砷化镓基板吸收，而降低发光效率。为了避免基板的吸光，传统上有一些文献揭露出提升发光二极管元件亮度的技术，例如在砷化镓基板上加入布拉格反射结构(Distributed Bragg Reflector；DBR)，用来反射入射向砷化镓基板的光，并减少砷化镓基板吸收。然而这种DBR反射结构是利用四元磊晶成长材料堆栈而成，叠层间的折射率差异不大，只能有效地反射较接近垂直入射于砷化镓基板的光，反射率约为80%，并且反射光的波长范围很小，效果并不大。     此外，电极形成在不同侧，在封装过程易造成电极与基板黏着不佳，导致电性不良，阻值增高。

发明内容

本发明提供一种提升亮度和增强第二电极和导电成长基板的粘着力的发光二极管元件。

为达上述优点，本发明提出一种发光二极管元件，所述发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极，所述导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域；所述半导体磊晶叠层位于所述导电成长基板的所述第一区域上；所述半导体磊晶叠层包括反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；所述反射层位于所述第一区域上；所述第一半导体层位于所述反射层上；所述活性层位于所述第一半导体层的上面；所述第二半导体层位于所述活性层的上面； 所述第一电极位于所述第二半导体层上；所述第二电极位于所述第二区域上，通过所述导电成长基板与所述半导体磊晶叠层电性连结；所述第一电极和第二电极位于所述导电成长基板的同一侧。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管元件进一步包括一叠层保留部，该叠层保留部位于该第二区域与该第二电极之间，该所述该叠层保留部的材料组成包括至少与该反射层、及/或部分该半导体磊晶叠层、及/或该半导体磊晶叠层相同的材料。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管元件进一步包括位于上述的第二区域与上述的第二电极之间的凹部，该凹部是移除一部份上述的导电成长基板所形成。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管元件进一步包括位于上述的第二半导体层上的透明导电层，该透明导电层与上述的第一电极及上述的第二半导体层电性连结。

在本发明的一实施例中，上述的反射层为一布拉格反射层。

在本发明的一实施例中，上述的反射层由若干个第三半导体层与第四半导体层交互堆栈所形成。

在本发明的一实施例中，上述的第三半导体层较上述的第四半导体层易于被氧化。

在本发明的一实施例中，上述的第三半导体层的材料是砷化铝，及/或上述的第四半导体层的材料是砷化铝镓、砷化镓、磷化铝镓铟、磷化铟镓之中的一种或组合。

在本发明的一实施例中，上述的第三半导体层的铝含量与上述的第四半导体层不同。

在本发明的一实施例中，上述的半导体磊晶叠层进一步包括若干个孔洞，通过孔洞露出上述的导电成长基板或部分上述的反射层。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管元件进一步包括邻接上述的第二区域及上述的第三半导体层的氧化铝层。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管元件进一步包括绕上述的第三半导体层氧化铝层围。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管元件进一步包括围绕上述的孔洞的氧化铝层。

在本发明的一实施例中，上述的氧化铝层是以一湿氧制程氧化部分上述的第三半导体层所形成。

本发明的有益效果是，本发明的发光二极管元件提高了反射率，从而提升了发光二极管元件的亮度；另外，本发明的发光二极管元件增强了第二电极和导电成长基板的粘着力的，防止第二电极脱离导电成长基板。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1A为本发明发光二极管元件的第一实施例的俯视示意图。

图1B为本发明发光二极管元件的第一实施例的侧面剖视示意图。

图1C为本发明发光二极管元件的第一实施例的半导体磊晶叠层的侧面剖视示意图。