[发明专利]发光二极管元件有效
| 申请号： | 201110209447.6 | 申请日： | 2011-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102903809A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | 陈吉兴;陈怡名;许嘉良 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 | ||
1.一种发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件包括导电成长基板、半导体磊晶叠层、第一电极和第二电极，所述导电成长基板上表面具有第一区域和第二区域；所述半导体磊晶叠层位于所述导电成长基板的所述第一区域上；所述半导体磊晶叠层包括反射层、具有第一导电特性的第一半导体层、活性层和具有第二导电特性的第二半导体层；所述反射层位于所述第一区域上；所述第一半导体层位于所述反射层上；所述活性层位于所述第一半导体层的上面；所述第二半导体层位于所述活性层的上面； 所述第一电极位于所述第二半导体层上；所述第二电极位于所述第二区域上，通过所述导电成长基板与所述半导体磊晶叠层电性连结；所述第一电极和第二电极位于所述导电成长基板的同一侧。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件进一步包括位于所述第二区域与所述第二电极之间的叠层保留部，所述叠层保留部的材料组成包括至少与所述反射层、及/或部分所述半导体磊晶叠层、及/或所述半导体磊晶叠层相同的材料。
3. 如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件进一步包括位于所述第二区域与所述第二电极之间的凹部，所述凹部是移除一部份所述导电成长基板所形成。
4. 如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件进一步包括位于所述第二半导体层上的透明导电层，所述透明导电层与所述第一电极及所述第二半导体层电性连结。
5. 如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述反射层为布拉格反射层。
6.如权利要求5所述的发光二极管元件，其特征在于：所述反射层为由若干个第三半导体层与第四半导体层交互堆栈所形成。
7. 如权利要求6所述的发光二极管元件，其特征在于：所述第三半导体层较所述第四半导体层易于被氧化。
8. 如权利要求6所述的发光二极管元件，其特征在于：所述第三半导体层的材料是砷化铝，及/或所述第四半导体层的材料是砷化铝镓、砷化镓、磷化铝镓铟、磷化铟镓之中的一种或组合。
9. 如权利要求8所述的发光二极管元件，其特征在于：所述第三半导体层的铝含量与所述第四半导体层不同。
10.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述半导体磊晶叠层进一步包括若干个孔洞，通过所述孔洞露出所述导电成长基板或部分所述反射层。
11.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件进一步包括邻接所述第二区域及所述第三半导体层的氧化铝层。
12.如权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件进一步包括围绕所述第三半导体层的氧化铝层。
13.如权利要求10所述的发光二极管元件，其特征在于：所述发光二极管元件进一步包括围绕所述这些孔洞的氧化铝层。
14.如权利要求11所述的发光二极管元件，其特征在于：所述氧化铝层是以湿氧制程氧化部分所述第三半导体层所形成。
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