[发明专利]用于向MEMS显示元件写入数据的方法及系统

说明书

分案申请的相关信息

本申请为发明名称为“用于向MEMS显示元件写入数据的方法及系统”的原中国发明专利申请的分案申请。原申请的申请号为200510103441.5；原申请的申请日为2005年9月15日；原发明专利申请案的优先权日为2004年09月27日。

技术领域

本发明揭示电荷平衡的显示数据写入方法，其在所选的帧更新周期期间使用具有相反极性的写入循环及保持循环。可提供一释放循环来减小一既定显示元件陷于一受激励状态中的几率。

背景技术

微机电系统(MEMS)包括微机械元件、激励器及电子元件。微机械元件可采用沉积、蚀刻或其他可蚀刻掉衬底及/或所沉积材料层的若干部分或可添加若干层以形成电和机电装置的微机械加工工艺制成。一种类型的MEMS装置被称为干涉式调制器。干涉式调制器可包含一对导电板，其中之一或二者均可全部或部分地透明及/或为反射性，且在施加一个适当的电信号时能够相对运动。其中一个板可包含一沉积在一衬底上的静止层，另一个板可包含一通过一空气间隙与该静止层隔开的金属隔板。上述装置具有广泛的应用范围，且在此项技术中，利用及/或修改这些类型装置的特性、以使其性能可用于改善现有产品及制造目前尚未开发的新产品将颇为有益。

发明内容

本发明的系统、方法及装置均具有多个方面，任一单个方面均不能单独决定其所期望特性。现在，对其更主要的特性进行简要说明，此并不限定本发明的范围。在查看这一说明，尤其是在阅读了标题为“具体实施方式”的部分之后，人们即可理解本发明的特性如何提供优于其他显示装置的优点。

在一实施例中，提供一种激励一MEMS显示元件的方法，其中所述MEMS显示元件包括一MEMS显示元件阵列的一部分。所述方法包括：在一显示器写入过程的一第一部分期间，使用一为一第一极性的电位差将显示数据写入至所述MEMS显示元件，及在所述显示器写入过程的一第二部分期间，使用一具有一与所述第一极性相反的极性的电位差将所述显示数据重写入至所述MEMS显示元件。随后，在所述显示器写入过程的一第三部分期间，将一具有所述第一极性的第一偏置电位施加至所述MEMS显示元件，及在所述显示器写入过程的一第四部分期间，将一具有所述相反极性的第二偏置电位施加至所述MEMS显示元件。

在另一实施例中，提供一种在一MEMS显示元件阵列上维持一显示数据帧的方法，其包括向所述MEMS显示元件交替地施加具有相反极性的大致相等的偏置电压，施加时间达至少部分地由一显示系统接收显示数据帧的速率的倒数所界定的时间周期。每一时间周期可基本等于1/(2f)或1/(4f)，其中f是一所规定的帧刷新循环的频率。

在另一实施例中，提供一种以一每一所规定的帧更新周期一个帧的速率将显示数据帧写入至一MEMS显示元件阵列的方法，其包括将显示数据写入至所述MEMS显示元件，其中所述写入花费不到所述帧更新周期，并将一系列极性交替的偏置电位施加至所述MEMS显示元件达所述帧更新周期的剩余时间。

本发明还提供显示装置。在一个此种实施例中，一MEMS显示装置配置成以一帧更新速率显示图像，所述帧更新速率界定一帧更新周期。所述显示装置包括行及列驱动电路，所述行及列驱动电路配置成将一极性平衡的偏置电压序列施加至一MEMS显示阵列的基本上所有的列，施加时间达至少一个帧更新周期的某些部分，其中所述部分由完成一第一帧的一帧写入过程与开始下一后续帧的一帧写入过程之间剩余的一时间来界定。

附图说明

图1为一等角图，其显示一干涉调制器显示器的一实施例的一部分，其中一第一干涉调制器的一可移动反射层处于一释放位置，且一第二干涉调制器的一可移动反射层处于一受激励位置。

图2为一系统方框图，其显示一包含一3x3干涉式调制器显示器的电子装置的一实施例。

图3为图1所示干涉式调制器的一实例性实施例的可移动镜位置与所施加电压的关系图。

图4为一组可用于驱动干涉式调制器显示器的行和列电压的示意图。

图5A及图5B显示可用于向图2所示3x3干涉式调制器显示器写入一显示数据帧的行和列信号的一实例性时序图。

图6A为一图1所示装置的剖面图。

图6B为一干涉式调制器的一替代实施例的一剖面图。

图6C为一干涉式调制器的另一替代实施例的一剖面图。

图7为一时序图，其显示向不同的显示数据帧施加相反的写入极性。