[发明专利]用于向MEMS显示元件写入数据的方法及系统无效
申请号: | 201110204626.0 | 申请日: | 2005-09-15 |
公开(公告)号: | CN102254506A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 克拉伦斯·徐;马尼什·科塔里 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;G09G5/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王允方 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 mems 显示 元件 写入 数据 方法 系统 | ||
1.一种驱动一MEMS显示器的方法,其包括周期性地释放所述显示器中的基本上所有的像素,其中每一像素的所述周期性释放是以一不经常的速率进行,以使得不会可觉察地影响呈现给一正常观察者的所述显示器的可视显现。
2.如权利要求1所述的方法,其中所述不经常的速率是一慢于显示器每使用小时一次的速率。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述不经常的速率是一慢于每显示100,000个图像数据帧一次的速率。
4.一种MEMS显示装置,其包括:
用于显示一具有复数个像素的图像的构件;
用于周期性地释放所述显示构件的基本上所有像素的构件,其中每一像素的所述周期性释放是以一不经常的速率进行,以使得不会可觉察地影响呈现给一正常观察者的所述显示构件的可视显现。
5.如权利要求4所述的MEMS显示装置,其中所述显示构件包括一布置成复数个行及列的显示元件阵列。
6.如权利要求5所述的MEMS显示装置,其中所述阵列包含干涉式调制器。
7.如权利要求5所述的MEMS显示装置,其中所述释放构件包括一列驱动电路,所述列驱动电路配置成将一极性平衡的偏置电压序列施加至所述阵列的基本上所有列。
8.如权利要求7所述的MEMS显示装置,其中所述不经常的速率是一慢于显示器每使用小时一次的速率。
9.如权利要求7所述的MEMS显示装置,其中所述不经常的速率是一慢于每显示100,000个图像数据帧一次的速率。
10.如权利要求7所述的MEMS显示装置,其进一步包括:
一与所述阵列电相通的处理器,所述处理器配置成处理图像数据;及
一与所述处理器电相通的存储装置。
11.如权利要求10所述的MEMS显示装置,其进一步包括:
一配置成将所述图像数据的至少一部分发送至所述驱动电路控制器。
12.如权利要求10所述的MEMS显示装置,其进一步包括:
一配置成向所述处理器发送所述图像数据的图像源模块。
13.如权利要求12所述的MEMS显示装置,其中所述图像源模块包括一接收器、收发器、及发射器中的至少一个。
14.如权利要求10所述的MEMS显示装置,其进一步包括:
一配置成接收输入数据并向所述处理器传送所述输入数据的输入装置。
15.一种将显示数据写入至干涉式显示元件阵列的方法,所述方法包括:
将显示数据写入至所述干涉式显示元件以显示图像;
在写入所述显示数据之后,在第一保持期间,将第一极性的偏置电位施加至所述干涉式显示元件阵列的第一列;
在所述第一保持期间,将第二极性的偏置电位施加至所述干涉式显示元件阵列的第二列,所述第二极性与所述第一极性相反;
在所述第一保持期间之后,在第二保持期间,将所述第二极性的偏置电位施加至所述第一列;及
在所述第二保持期间,将所述第一极性的偏置电位施加至所述第二列,
其中所述第一列与所述第二列相邻,其中,在所述第一保持期间和所述第二保持期间,在所述第一列和所述第二列内的受激励元件保持受激励,且其中,在所述第一保持期间和所述第二保持期间,在所述第一列和所述第二列内的未受激励元件保持未受激励。
16.如权利要求15所述的方法,其中,写入所述显示数据包括使用第三极性的电位差将所述显示数据写入至所述干涉式显示元件,且进一步包括使用第四极性的电位差将所述显示数据写入至所述干涉式显示元件,所述第四极性与所述第三极性相反。
17.如权利要求16所述的方法,其中,使用所述第三极性的电位差写入的所述显示数据与使用所述第四极性的电位差写入的所述显示数据不同。
18.如权利要求16所述的方法,其中,使用所述第三极性的电位差写入的所述显示数据与使用所述第四极性的电位差写入的所述显示数据基本相同。
19.如权利要求16所述的方法,其中,在使用所述第三极性的电位差写入所述显示数据之后且在所述第一保持期间之前,执行使用所述第四极性的电位差写入所述显示数据。
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