[发明专利]具有电子反射绝缘间隔层的STRAM有效
| 申请号： | 201110189733.0 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102339638A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | Y·郑;D·V·季米特洛夫;W·田;D·王;Z·高;X·王 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电子 反射 绝缘 间隔 stram | ||
【权利要求书】：
1.一种自旋转移矩存储单元，包括：
自由磁性层；
合成反铁磁体参考磁性元件；
将所述自由磁性层与合成反铁磁体参考磁性层分离的电绝缘且非磁性隧穿阻挡层；
电极层；
将所述电极层与所述自由磁性层分离的电绝缘且电子反射层。
2.如权利要求1所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述电绝缘且电子反射层具有不均匀的厚度。
3.如权利要求1所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，还包括设置在所述合成反铁磁体参考磁性元件内的第二电绝缘且电子反射层。
4.如权利要求3所述的自旋转移矩存储单元，其特征在于，所述合成反铁磁体元件包括第一铁磁体层、第二铁磁体层以及第三铁磁体层，所述第一和第二铁磁体层反铁磁地对齐且由导电且非铁磁体间隔层分离并且反铁磁体层与所述第一铁磁体层相邻，而且所述第二电绝缘且电子反射层将所述第二铁磁体层与第三铁磁体层分离。
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