[发明专利]双栅薄膜晶体管及包括双栅薄膜晶体管的OLED显示装置

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求2010年7月7日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2010-0065461的权益，该申请的公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

以下描述涉及双栅薄膜晶体管(TFT)及包括双栅TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置。

背景技术

在诸如液晶显示器、有机电致发光显示器和无机电致发光显示器之类的平板显示装置中使用的薄膜晶体管(TFT)，用作控制每个像素的操作的开关器件和用作驱动像素的驱动器件。

一般来说，每个TFT具有：具有重掺杂的源/漏区和形成在源/漏区之间的沟道区的有源层、与有源层绝缘并形成在与沟道区相对应的位置处的栅电极以及分别接触源/漏区的源/漏电极。

有源层由包括非晶硅或多晶硅的半导体材料形成。当有源层由非晶硅形成时，载流子的迁移率降低，使得难以具体实现高速操作的驱动电路。当有源层由多晶硅形成时，载流子的迁移率增加，但阈值电压不均匀，使得需要布置独立的补偿电路。

发明内容

本发明的示例性实施例提供了一种用于控制薄膜晶体管(TFT)的阈值电压的显示装置。

根据本发明一实施例的方面，提供一种双栅薄膜晶体管(TFT)，包括：在基板上的第一栅电极；在所述第一栅电极上的有源层；在所述有源层上的源电极和漏电极；在所述基板以及所述源电极和漏电极上的平坦化层，所述平坦化层具有与所述有源层相对应的开口；以及在所述开口中的第二栅电极。

所述有源层可以包括氧化物半导体。

所述第二栅电极可以为有机发光二极管(OLED)显示装置的阴极。

可以配置有向所述第一栅电极施加的正电压，并且可以配置有向所述第二栅电极施加的负电压。

根据本发明另一实施例的方面，提供一种有机发光二极管(OLED)显示装置，包括：像素电极，电连接到薄膜晶体管(TFT)并且位于平坦化层上；在所述像素电极上的像素限定层(PDL)，所述像素限定层具有：通过刻蚀所述PDL和所述平坦化层形成的暴露所述平坦化层中与所述TFT的有源层相对应的一部分的第一开口，和通过刻蚀所述PDL形成的暴露所述像素电极的一部分的第二开口；以及位于所述第一开口和所述第二开口中的对电极。

所述TFT可以包括：在基板上的第一栅电极；在所述第一栅电极上的有源层；以及在所述有源层上的源电极和漏电极。

所述对电极可以为所述TFT的第二栅电极。

根据本发明另一实施例的方面，提供一种制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法，所述方法包括：在平坦化层上形成电连接到薄膜晶体管(TFT)的像素电极；在所述像素电极上形成像素限定层(PDL)；通过刻蚀所述PDL和所述平坦化层形成暴露所述平坦化层中与所述TFT的有源层相对应的一部分的第一开口，并且通过蚀刻所述PDL形成暴露所述像素电极的一部分的第二开口；并且在所述第一开口和所述第二开口中形成对电极。

在形成像素电极的操作之前，所述方法可以进一步包括以下操作：在基板上形成第一栅电极；在所述第一栅电极上形成所述有源层；在所述有源层上形成源电极和漏电极；并且在所述源电极和漏电极以及所述基板上形成所述平坦化层。

在形成对电极之前，所述方法可以进一步包括在所述第二开口中形成发光层的操作。

所述对电极可以为与所述第一栅电极相对应的第二栅电极。

根据本发明的再一实施例的方面，提供一种制造双栅薄膜晶体管(TFT)的方法，所述方法包括：在基板上形成第一栅电极；在所述第一栅电极上形成有源层；在所述有源层上形成源电极和漏电极；在所述源电极和漏电极以及所述基板上形成平坦化层；通过刻蚀所述平坦化层形成与所述有源层相对应的开口；并且在所述开口中形成第二栅电极。

所述第二栅电极可以为OLED显示装置的阴极。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的以上及其它特征和优点将变得更明显，附图中：

图1为根据本发明实施例的包括氧化物半导体的双栅薄膜晶体管(TFT)的截面图；

图2为根据本发明实施例的包括双栅TFT的有机发光二极管(OLED)显示装置的截面图；

图3至图7为制造根据本发明实施例的包括双栅TFT的OLED显示装置的过程的截面图；

图8和图9为示出根据本发明实施例的双栅TFT的电学特性的图；

图10为根据本发明实施例的OLED显示装置的一部分的电路图；以及