[发明专利]双栅薄膜晶体管及包括双栅薄膜晶体管的OLED显示装置

权利要求书

1.一种双栅薄膜晶体管，包括：

在基板上的第一栅电极；

在所述第一栅电极上的有源层；

在所述有源层上的源电极和漏电极；

在所述基板以及所述源电极和漏电极上的平坦化层，所述平坦化层具有与所述有源层相对应的开口；以及

在所述开口中的第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的双栅薄膜晶体管，其中所述有源层包括氧化物半导体。

3.根据权利要求1所述的双栅薄膜晶体管，进一步包括：

在所述第一栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层；以及

在所述有源层与所述源电极和漏电极的至少一部分之间的层间绝缘层。

4.根据权利要求1所述的双栅薄膜晶体管，其中配置有向所述第一栅电极施加的正电压，并且配置有向所述第二栅电极施加的负电压。

5.根据权利要求1所述的双栅薄膜晶体管，其中所述第二栅电极为有机发光二极管显示装置的阴极。

6.一种有机发光二极管显示装置，包括：

像素电极，电连接到薄膜晶体管并且位于平坦化层上；

在所述像素电极上的像素限定层，所述像素限定层具有：通过刻蚀所述像素限定层和所述平坦化层形成的暴露所述平坦化层中与所述薄膜晶体管的有源层相对应的一部分的第一开口，和通过刻蚀所述像素限定层形成的暴露所述像素电极的一部分的第二开口；以及

位于所述第一开口和所述第二开口中的对电极。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：

在基板上的第一栅电极；

在所述第一栅电极上的有源层；以及

在所述有源层上的源电极和漏电极。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，进一步包括：

在所述第一栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层；以及

在所述有源层与所述源电极和漏电极的至少一部分之间的层间绝缘层。

9.根据权利要求7所述的有机发光二极管显示装置，其中配置有向所述第一栅电极施加的正电压，并且配置有向所述对电极施加的负电压。

10.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中所述源电极和漏电极之一连接到所述像素电极。

11.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中所述对电极为所述薄膜晶体管的第二栅电极。

12.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置，其中所述有源层包括氧化物半导体。

13.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，所述方法包括：

在平坦化层上形成电连接到薄膜晶体管的像素电极；

在所述像素电极上形成像素限定层；

通过刻蚀所述像素限定层和所述平坦化层形成暴露所述平坦化层中与所述薄膜晶体管的有源层相对应的一部分的第一开口，并且通过蚀刻所述像素限定层形成暴露所述像素电极的一部分的第二开口；并且

在所述第一开口和所述第二开口中形成对电极。

14.根据权利要求13所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，在形成像素电极之前，进一步包括：

在基板上形成第一栅电极；

在所述第一栅电极上形成所述有源层；

在所述有源层上形成源电极和漏电极；并且

在所述源电极和漏电极以及所述基板上形成所述平坦化层。

15.根据权利要求14所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，其中所述像素电极电连接到所述源电极或漏电极之一。

16.根据权利要求14所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，其中所述对电极为与所述第一栅电极相对应的第二栅电极。

17.根据权利要求14所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，进一步包括：

在所述第一栅电极与所述有源层之间形成栅绝缘层；并且

在所述有源层与所述源电极和漏电极的至少一部分之间形成层间绝缘层。

18.根据权利要求13所述的制造有机发光二极管显示装置的方法，在形成对电极之前进一步包括在所述第二开口中形成发光层。