[发明专利]半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法有效
申请号: | 201110185003.3 | 申请日: | 2011-06-30 |
公开(公告)号: | CN102347264A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/78;C09J7/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 生产 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体器件生产用膜、半导体器件生产用膜的生产方法和半导体器件的生产方法。
背景技术
近年来,日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此,作为半导体器件及其封装,已经广泛地利用其中将半导体元件如半导体芯片通过倒装芯片接合(倒装芯片连接的)安装至基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中,半导体芯片以其中半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在这类半导体器件等中,存在其中半导体芯片的背面受保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见专利文献1至10)。
专利文献1:JP-A-2008-166451
专利文献2:JP-A-2008-006386
专利文献3:JP-A-2007-261035
专利文献4:JP-A-2007-250970
专利文献5:JP-A-2007-158026
专利文献6:JP-A-2004-221169
专利文献7:JP-A-2004-214288
专利文献8:JP-A-2004-142430
专利文献9:JP-A-2004-072108
专利文献10:JP-A-2004-063551
本发明人研究用于保护半导体芯片背面的膜。结果,本发明人发明了通过使用半导体器件生产用膜将膜粘贴至半导体芯片背面的方法,其中各自包括层压于切割带上的粘合剂层的多个粘贴粘合剂层的切割带以预定间隔层压于隔离膜上。
粘贴粘合剂层的切割带根据其要粘贴的半导体晶片的形状(例如,圆形)预切割。粘贴粘合剂层的切割带当将其粘贴至半导体晶片时从隔离膜剥离。然而,依赖于粘贴粘合剂层的切割带的物理性质和依赖于设备的条件,发生粘贴粘合剂层的切割带不能良好地从隔离膜分离的额外问题。
发明内容
考虑到上述问题进行了本发明,并且其目的在于提供半导体器件生产用膜、所述膜的生产方法和通过使用半导体器件生产用膜生产半导体器件的方法,所述半导体器件生产用膜包括隔离膜和多个粘贴粘合剂层的切割带,所述粘贴粘合剂层的切割带各自包含层压于切割带上的粘合剂层,所述粘贴粘合剂层的切割带以预定间隔层压在隔离膜上,其中粘贴粘合剂层的切割带可有利地从隔离膜剥离。
本发明人出于解决本领域中上述问题的目的研究半导体器件生产用膜。结果,本发明人发现当采用以下构成时,则粘贴粘合剂层的切割带可有利地从隔离膜剥离,并完成了本发明。
即,本发明提供半导体器件生产用膜,其包括:隔离膜;和多个粘贴粘合剂层的切割带,所述多个粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层,所述粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式以预定间隔层压在隔离膜上,其中所述隔离膜具有沿切割带的外周形成的切口,和其中切口的深度为不超过隔离膜厚度的2/3。
根据上述构造,加工隔离膜以具有沿切割带外周形成的切口。因此,从切口开始,粘贴粘合剂层的切割带可容易地从隔离膜剥离。由于切口深度(切割深度)为不超过隔离膜厚度的2/3,所以当粘贴粘合剂层的切割带从隔离膜剥离时防止隔离膜从切口部分(切口)撕裂。结果,粘贴粘合剂层的切割带可有利地从隔离膜剥离(拾取)。此处,在本说明书中的术语″切口″是指隔离膜切割至不超出隔离膜厚度的一定厚度的部分。术语″切口″可称为″凹口(groove)″。
另外,本发明还提供半导体器件生产用膜的生产方法,所述方法包括:制备隔离膜粘贴的膜,所述隔离膜粘贴的膜包括隔离膜和多个粘贴粘合剂层的切割带,所述粘贴粘合剂层的切割带各自包括切割带和层压在切割带上的粘合剂层,粘贴粘合剂层的切割带以粘合剂层粘贴至隔离膜的方式层压在隔离膜上,和根据对应于隔离膜粘贴的膜要粘贴的半导体晶片的尺寸切割所述隔离膜粘贴的膜,其中将所述隔离膜粘贴的膜从粘贴粘合剂层的切割带侧切割至不超过隔离膜厚度的2/3的深度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造