[发明专利]一种氮氧化物荧光粉及其制备方法和应用无效
申请号: | 201110157772.2 | 申请日: | 2011-06-13 |
公开(公告)号: | CN102321478A | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
发明(设计)人: | 张家骅;刘永福;张霞;郝振东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;H01L33/50 |
代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 陶尊新 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化物 荧光粉 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种氮氧化物荧光粉,其特征是,材料化学式为:M3(Ln2-xCex)D3O12-6nN4n,其中M代表Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的至少一种;Ln代表Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd或Lu中的至少一种;D代表Si、Ge、Sn、Ti、Zr或Hf中的至少一种;所述x的取值范围为0.0001≤x≤0.4,n的取值范围为0.01≤n≤1。
2.基于权利要求1所述的一种氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征是,该方法由以下步骤实现:
(1)以化学式为M3(Ln2-xCex)D3O12-6nN4n中元素的氧化物、氟化物、氯化物、氮化物或相应的盐类为原料,按摩尔比称取,充分研磨混合均匀,获得混合物样品;所述M代表Mg、Ca、Sr、Ba或Zn中的至少一种;Ln代表Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd或Lu中的至少一种;D代表Si、Ge、Sn、Ti、Zr或Hf中的至少一种;所述x的取值范围为0.0001≤x≤0.4,n的取值范围为0.01≤n≤1;
(2)将步骤(1)获得的混合物样品置入坩埚中,在还原气氛条件下,放入高温炉中焙烧,获得烧结体;所述混合物样品的焙烧温度为1200-1400℃,焙烧时间为4小时;
(3)将步骤(2)获得的烧结体研磨后即得到所述的荧光粉。
3.根据权利要求2所述的一种氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征是,步骤(2)所述的还原气氛为一氧化碳或氢气。
4.根据权利要求2所述的一种氮氧化物荧光粉的制备方法,其特征是,步骤(2)所述的高温炉为马弗炉或管式炉。
5.权利要求1所述的一种氮氧化物荧光粉在制备白光LED中的应用,其特征是,将所述的氮氧化物荧光粉与环氧树脂按照质量比为0.2∶1的比例混合均匀,涂覆在蓝光InGaN芯片上,封装固化而制得白光LED。
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