[发明专利]氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法

权利要求书

1.一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：取一氮化镓LED外延片，该外延片由衬底，N型氮化镓，多量子阱，铝镓氮EBL和P型氮化镓组成；

步骤2：将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元，每个单元就是一个独立的LED芯片；

步骤3：对每个单元上表面的选定区域进行表面处理，使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层；

步骤4：在每个单元上表面制作P电极，该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓，完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，其中的衬底包括蓝宝石、硅或碳化硅。

3.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，其中的N型氮化镓为非故意掺杂的氮化镓和掺施主杂质的氮化镓或掺施主杂质的氮化镓。

4.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，其中所述电流阻挡层是任意大小和任意形状。

5.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，其中的表面处理包括退火、等离子体轰击、离子注入和溶液浸泡的步骤。

6.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，其中的P电极是指沉积在P型氮化镓表面的薄膜材料电极，包括镍、银、铂、钯、金或ITO材料，或这些材料的任意组合。

7.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，其中的多量子阱中的每一量子阱包括氮化镓层和铟镓氮层。

8.根据权利要求7所述的氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法，其中的多量子阱的量子阱数为3-10。