[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：

步骤a，通过第一次构图工艺在基板上形成栅线及栅电极；

步骤b，通过第二次构图工艺形成数据线、绝缘层、有源层、源电极、漏电极、TFT的沟道，并在第一钝化层形成过孔；

步骤c，通过第三次构图工艺形成像素电极；

步骤d，通过第四次构图工艺形成第二钝化层及有间隔的公共电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤a，具体包括：

在基板上沉积第一金属薄膜，通过光刻工艺及刻蚀工艺形成栅线及栅电极。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤b，具体包括：

在完成步骤a的基板上依次沉积绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、第二金属薄膜以及第一钝化层；

在第一钝化层上涂覆一层光刻胶，采用带有狭缝的掩模板进行曝光、显影处理、及第一次刻蚀处理，暴露出不形成数据线、源电极、以及漏电极的区域的绝缘层；

进行第一次灰化处理及第二次刻蚀处理，形成数据线、源电极、漏电极及TFT的沟道；

进行第二次灰化处理、第三次刻蚀处理、以及剥离工艺，在第一钝化层上形成过孔。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤c，具体包括：

在完成步骤b的基板上沉积第一透明导电薄膜，通过光刻工艺及刻蚀工艺形成像素电极。

5.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述步骤d，具体包括：

在完成步骤c的基板上依次沉积第二钝化层及第二透明导电薄膜，通过对第二透明导电薄膜进行光刻工艺及刻蚀工艺，形成有间隔的公共电极。

6.一种TFT-LCD阵列基板，其特征在于，该阵列基板包括：基板，通过第一次构图工艺形成的栅线、栅电极，通过第二次构图工艺形成的数据线、绝缘层、有源层、源电极、漏电极、TFT的沟道、第一钝化层，通过第三次构图工艺形成的像素电极，以及通过第四次构图工艺形成的第二钝化层、有间隔的公共电极。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，

栅线及栅电极形成在基板上，绝缘层形成在栅电极上，并覆盖整个基板，有源层形成在绝缘层上，源电极及漏电极形成在有源层上，第一钝化层形成在源、漏电极上，且第一钝化层上形成有过孔，像素电极形成在第一钝化层上，并通过过孔与漏电极相连接，第二钝化层形成在像素电极上，并覆盖整个基板，公共电极形成在第二钝化层上。

8.根据权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅线及栅电极的厚度为和/或，

所述绝缘层的厚度为所述有源层的厚度为所述源电极及漏电极的厚度为所述第一钝化层的厚度为和/或，

所述像素电极的厚度为和/或，

所述第二钝化层的厚度为所述公共电极的厚度为