[发明专利]一种多晶硅铸锭炉热场及多晶硅铸锭炉无效

专利信息
申请号: 201110135310.0 申请日: 2011-05-24
公开(公告)号: CN102212881A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 胡动力;张涛 申请(专利权)人: 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
主分类号: C30B29/06 分类号: C30B29/06;C30B28/06
代理公司: 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;潘中毅
地址: 338000 江西省新余*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 铸锭 炉热场
【说明书】:

技术领域

发明涉及多晶硅铸锭炉的设计与制造技术领域,尤其涉及一种多晶硅铸锭炉热场及多晶硅铸锭炉。

背景技术

在多晶硅的铸造过程中,需要向多晶硅铸锭炉热场的坩埚中充入流动的氩气作为保护气,保护气经过坩埚的硅液表面时,会携带大量的硅蒸汽,其中包括如硅蒸汽、氧化硅等腐蚀性气体。同时,请参见图1,是现有的多晶硅铸锭炉热场的结构以及气体排放示意图,由图可以看出,由于现有的多晶硅铸锭炉热场,坩埚与盖板有一定缝隙,从热场顶部的保温隔热顶板的进气孔注入氩气作为保护气使用后,在热场底部的保温隔热底板打开时排出。这使得在保护气的使用以及排出的过程中,保护气所携带的硅蒸汽中包括如氧化硅等腐蚀性气体会腐蚀热场的保温隔热笼体、保温隔热顶板、石墨护板,保温隔热底板、热交换台以及加热器等装置,导致热场的损坏,使得现有的热场在一年或者两年内需要更换;同时,硅蒸汽、氧化硅等腐蚀性气体腐蚀热场各部件又会产生一氧化碳、二氧化碳等气体,从而造成硅锭的碳污染。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种多晶硅铸锭炉热场及多晶硅铸锭炉,可避免腐蚀性气体对热场各装置的腐蚀,同时也可减少硅锭的碳污染。

为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种多晶硅铸锭炉热场,包括保温隔热笼体,所述保温隔热笼体上部的保温隔热顶板和底部的保温隔热底板,置于所述保温隔热笼体内部的带坩埚的热交换台和加热器,所述保温隔热顶板设置有进气孔和出气孔,所述多晶硅铸锭炉热场还包括设置在所述坩埚顶部的用于遮盖所述坩埚的遮挡盖板,所述遮挡盖板上设置有进气孔和出气孔,且所述遮挡盖板的出气孔与所述保温隔热顶板的出气孔之间通过封闭的排气通道相连接。

其中,所述遮挡盖板的进气孔与所述保温隔热顶板的进气孔之间通过封闭的排气通道相连接。

其中,所述保温隔热顶板设置的进气孔和出气孔包括一个或者多个,所述遮挡盖板开设的进气孔和出气孔的数量对应于所述保温隔热顶板的进气孔和出气孔数量。

其中,所述排气通道为由石墨管,或者碳化硅管,或者氧化铝管构成的用于供气体流通的封闭的通道。

其中,所述遮挡盖板包括一个进气孔,所述进气孔开设在所述遮挡盖板的中心位置;

所述遮挡盖板的出气孔包括四个,分别设置在所述遮挡盖板的四个角上,或者所述遮挡盖板的出气孔包括八个,分别设置在所述遮挡盖板的四个角上和四条边的中间位置。

其中,所述遮挡盖板为碳碳盖板或者石墨盖板。

相应地,本发明实施例还提供了一种多晶硅铸锭炉,包括上述的多晶硅铸锭炉热场。

其中,还包括与所述保温隔热顶板的出气孔相连接的,延伸至所述多晶硅铸锭炉外部的封闭的排气通道,其用于将该保温隔热顶板的出气孔排出的气体排出到所述多晶硅铸锭炉之外。

实施本发明实施例,具有以下有益效果:

本发明通过在热场内的坩埚口设置用于遮盖所述坩埚的遮挡盖板,在该遮挡盖板上设置的进气孔和出气孔,且分别通过密封的排气通道与热场的保温隔热顶板的进气孔与出气孔相连接,不仅保证了氩气等保护气能够注入到坩埚内,还能将使用后的氩气等保护气以及产生的如硅蒸汽、氧化硅等腐蚀性气体能够直接排出的热场外部,避免对热场的各部件造成腐蚀,增加了热场的使用寿命,降低了生产成本,且也不会产生一氧化碳或者二氧化碳等气体对硅锭造成碳污染。另外,还可设置与所述保温隔热顶板的出气孔相连接的,延伸至所述多晶硅铸锭炉外部的封闭的排气通道,其用于将该保温隔热顶板的出气孔排出的气体排出到所述多晶硅铸锭炉之外,也避免了对多晶硅铸锭炉的腐蚀,提高了多晶硅铸锭炉的使用寿命,进一步的降低了生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有的多晶硅铸锭炉热场的结构及其气体排放示意图;

图2是本发明实施例的多晶硅铸锭炉热场结构及其气体排放示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

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