[发明专利]作物根际沉积炭模拟培养装置及培养方法

权利要求书

1.一种作物根际沉积炭模拟培养装置，所述装置包括PVC培养钵(1)、网袋(2)和多个供试土柱载体(3)和多个支架(5)，其特征在于PVC培养钵(1)底部设有多个镶嵌槽(4)，每个供试土柱载体(3)通过相对应的支架固装在镶嵌槽(4)内，网袋(2)装在PVC培养钵(1)内，且每个供试土柱载体(3)开口位置处与网袋(2)的外侧位置处紧密接触，PVC培养钵(1)、网袋(2)和供试土柱载体(3)内均装有原状土。

2.根据权利要求1所述作物根际沉积炭模拟培养装置，其特征在于供试土柱载体(3)的数量为1-4个。

3.一种采用权利要求1或2所述作物根际沉积炭模拟培养装置的培养方法，其特征在于步骤一、按试验要求准备好满足试验条件的土壤，将土壤装入PVC培养钵(1)中；步骤二、将每个供试土壤装入供试土柱载体(3)中，并将每个供试土柱载体(3)通过支架(5)镶嵌入PVC培养钵(1)内相对应的镶嵌槽(4)中；步骤三、按试验要求作物在网袋(2)内进行播种；步骤四、将上述组装后的培养装置放入培养场；步骤五、按试验要求进行培养；步骤六、按试验要求在特定时间取样，取出供试土柱载体(3)，放入冰箱进行速冻，然后在冰状态下用切刀进行切割供试土柱载体(3)的土柱，获得不同根距的根际土壤。

4.根据权利要求3所述作物根际沉积炭模拟培养方法，其特征在于步骤六中供试土柱载体(3)放入冰箱进行速冻的时间为24小时。

5.根据权利要求4所述作物根际沉积炭模拟培养方法，其特征在于步骤五中培养期间对植物的拔期期间用¹³CO₂进行脉冲式标记。