[发明专利]一种晶闸管型发光二极管的开路保护器无效
申请号: | 201110116193.3 | 申请日: | 2011-05-06 |
公开(公告)号: | CN102201403A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 张金平;李泽宏;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/06;H01L33/00 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶闸管 发光二极管 开路 保护 | ||
1.一种晶闸管型发光二极管的开路保护器,包括晶闸管(T)和电子开关(K);其特征在于,所述电子开关(K)并联于晶闸管(T)的阳极和控制极之间。
2.根据权利要求1所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述电子开关(K)采用二极管或场效应晶体管实现。
3.根据权利要求2所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述二极管是PN结二极管、肖特基二极管或齐纳二极管。
4.根据权利要求2所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述场效应晶体管是金属半导体场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或结型场效应晶体管。
5.根据权利要求1所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述晶闸管(T)和电子开关(K)集成于同一芯片上,构成集成晶闸管型发光二极管开路保护器。
6.根据权利要求5所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述集成晶闸管型发光二极管开路保护器包括P+衬底(2)、P+衬底(2)背面的金属化阳极(1)、P+衬底(2)正面的N型漂移区(3)、N型漂移区(3)中的P型基区(4)、位于P型基区(4)中且与金属化阴极(6)相连的第一N+接触区(5);所述N型漂移区(3)中远离P型基区(4)的一侧具有第二N+接触区(10),N型漂移区(3)中位于P型基区(4)与第二N+接触区(10)之间的区域集成了电子开关(8);电子开关(8)的一端与P型基区(4)之间通过金属化控制极(7)相连,电子开关(8)的另一端与第二N+接触区(10)之间通过金属连线(9)相连;金属化阴极(6)、金属化控制极(7)以及金属连线(9)之间的区域具有绝缘钝化层(11),金属化控制极(7)和金属连线(9)覆盖N型漂移区(3)的地方同样具有绝缘钝化层(11)。
7.根据权利要求6所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述第二N+接触区(10)下方的P+衬底(2)中还具有第三N+接触区(12)。
8.根据权利要求5或6所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述电子开关(8)为二极管或场效应晶体管。
9.根据权利要求8所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述二极管为PN结二极管、肖特基二极管或齐纳二极管。
10.根据权利要求8所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述场效应晶体管是金属半导体场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或结型场效应晶体管。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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