[发明专利]一种晶闸管型发光二极管的开路保护器无效

专利信息
申请号: 201110116193.3 申请日: 2011-05-06
公开(公告)号: CN102201403A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 张金平;李泽宏;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/06;H01L33/00
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶闸管 发光二极管 开路 保护
【权利要求书】:

1.一种晶闸管型发光二极管的开路保护器,包括晶闸管(T)和电子开关(K);其特征在于,所述电子开关(K)并联于晶闸管(T)的阳极和控制极之间。

2.根据权利要求1所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述电子开关(K)采用二极管或场效应晶体管实现。

3.根据权利要求2所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述二极管是PN结二极管、肖特基二极管或齐纳二极管。

4.根据权利要求2所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述场效应晶体管是金属半导体场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或结型场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述晶闸管(T)和电子开关(K)集成于同一芯片上,构成集成晶闸管型发光二极管开路保护器。

6.根据权利要求5所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述集成晶闸管型发光二极管开路保护器包括P+衬底(2)、P+衬底(2)背面的金属化阳极(1)、P+衬底(2)正面的N型漂移区(3)、N型漂移区(3)中的P型基区(4)、位于P型基区(4)中且与金属化阴极(6)相连的第一N+接触区(5);所述N型漂移区(3)中远离P型基区(4)的一侧具有第二N+接触区(10),N型漂移区(3)中位于P型基区(4)与第二N+接触区(10)之间的区域集成了电子开关(8);电子开关(8)的一端与P型基区(4)之间通过金属化控制极(7)相连,电子开关(8)的另一端与第二N+接触区(10)之间通过金属连线(9)相连;金属化阴极(6)、金属化控制极(7)以及金属连线(9)之间的区域具有绝缘钝化层(11),金属化控制极(7)和金属连线(9)覆盖N型漂移区(3)的地方同样具有绝缘钝化层(11)。

7.根据权利要求6所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述第二N+接触区(10)下方的P+衬底(2)中还具有第三N+接触区(12)。

8.根据权利要求5或6所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述电子开关(8)为二极管或场效应晶体管。

9.根据权利要求8所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述二极管为PN结二极管、肖特基二极管或齐纳二极管。

10.根据权利要求8所述的晶闸管型发光二极管的开路保护器,其特征在于,所述场效应晶体管是金属半导体场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管或结型场效应晶体管。

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