[发明专利]具有薄膜晶体管的透反射液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种具有薄膜晶体管的透反射液晶显示装置，所述透反射液晶显示装置包括：

装置基底，具有反射区域和透射区域；

薄膜晶体管，形成在装置基底的反射区域上并具有漏电极；

钝化层，形成在薄膜晶体管上并暴露漏电极；

像素电极，以堆叠结构形成，像素电极包括第一像素电极和第二像素电极，第一像素电极电连接到漏电极，第二像素电极在第一像素电极上形成为具有浮雕图案；

反射层，形成在第二像素电极上并形成在装置基底的反射区域中。

2.如权利要求1所述的透反射液晶显示装置，其中，第二像素电极由透明导电材料形成，第二像素电极的蚀刻速率比第一像素电极的蚀刻速率高。

3.如权利要求1所述的透反射液晶显示装置，其中，第一像素电极由氧化铟锡、氧化锡或氧化铟锌形成，第二像素电极由氧化锌或氧化锌与其他金属的复合物形成。

4.如权利要求1所述的透反射液晶显示装置，其中，浮雕图案形成在装置基底的反射区域和透射区域上。

5.如权利要求1所述的透反射液晶显示装置，其中，浮雕图案具有圆形形状。

6.如权利要求1所述的透反射液晶显示装置，其中，反射层的表面具有与反射层下部的浮雕图案对应的圆形的凹入部分和凸起部分。

7.如权利要求1所述的透反射液晶显示装置，其中，反射层由不透明导电材料形成。

8.如权利要求1所述的透反射液晶显示装置，其中，第二像素电极的厚度比第一像素电极的厚度厚。

9.一种制造具有薄膜晶体管的透反射液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：

在具有反射区域和透射区域的装置基底的反射区域上形成薄膜晶体管；

在薄膜晶体管上形成钝化层，以暴露薄膜晶体管的漏电极并覆盖薄膜晶体管；

在装置基底的透射区域和反射区域上形成像素电极，形成像素电极的步骤包括形成第一像素电极和形成第二像素电极，第一像素电极电连接到漏电极，第二像素电极在第一像素电极上具有浮雕图案；

在具有浮雕图案的第二像素电极上形成反射层，反射层设置在装置基底的反射区域中。

10.如权利要求9所述的方法，其中，在透射区域和反射区域上形成像素电极包括以下步骤：

在具有钝化层的装置基底上形成第一像素电极；

在第一像素电极上形成第二像素电极；

对第二像素电极执行喷雾式蚀刻工艺以在第二像素电极处形成浮雕图案。

11.如权利要求10所述的方法，其中，在蚀刻工艺中将通过以1∶400比例混合的氟化氢和蒸馏水得到的稀释的氟化氢用作蚀刻剂。

12.如权利要求9所述的方法，其中，第二像素电极由透明导电材料形成，第二像素电极的蚀刻速率比第一像素电极的蚀刻速率高。

13.如权利要求9所述的方法，其中，第一像素电极由氧化铟锡、氧化锡或氧化铟锌形成，第二像素电极由氧化锌或氧化锌与其他金属的复合物形成。

14.如权利要求9所述的方法，浮雕图案具有圆形形状。

15.如权利要求14所述的方法，其中，反射层的表面具有与反射层下部的浮雕图案对应的圆形的凹入部分和凸起部分。

16.如权利要求9所述的方法，其中，反射层由不透明导电材料形成。

17.如权利要求9所述的方法，其中，钝化层由无机绝缘材料形成。

18.如权利要求9所述的方法，其中，第二像素电极的厚度比第一像素电极的厚度厚。

19.如权利要求9所述的方法，其中，反射层形成在薄膜晶体管上。

20.一种具有薄膜晶体管的透反射液晶显示装置，所述透反射液晶显示装置包括：

装置基底，具有反射区域和透射区域；

薄膜晶体管，形成在装置基底的反射区域上并具有漏电极；

钝化层，形成在薄膜晶体管上并暴露漏电极；

像素电极，形成在具有形成在薄膜晶体管上的钝化层的装置基底上，

其中，像素电极具有浮雕图案，浮雕图案形成在背离装置基底的表面上。