[发明专利]镀膜件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110067216.6 | 申请日： | 2011-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN102691043A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;王莹莹 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;C23C14/54 |
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| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镀膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种镀膜件，其包括基材及形成于基材表面的打底层，其特征在于：该镀膜件还包括形成于打底层表面的金属铱层、形成于金属铱层表面的氮氧化铬层及形成于氮氧化铬层表面的氮化铬层。
2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基材的材质为模具钢。
3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述打底层为铬层，其以磁控溅射的方式形成，厚度为20～50nm。
4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述金属铱层以磁控溅射的方式形成，该金属铱层的厚度为10～30nm。
5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述氮氧化铬层以磁控溅射的方式形成，该氮氧化铬层的厚度为50～500nm。
6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述氮化铬层以磁控溅射的方式形成，该氮化铬层的厚度为20～80nm。
7.一种镀膜件的制备方法，其包括如下步骤：
提供一基材；
在基材表面形成打底层；
在该打底层的表面形成金属铱层；
在该金属铱层表面形成氮氧化铬层；
在该氮氧化铬层的表面形成氮化铬层。
8.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述打底层为铬层，形成所述打底层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用金属铬靶，铬靶的功率为3～8kw，以氩气为工作气体，氩气流量为100～150sccm，基材偏压为-100～-300V，镀膜温度为80～120℃，镀膜时间为5～10min。
9.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：形成所述金属铱层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用金属铱靶，铱靶的功率为3～8kw，以氩气为工作气体，氩气流量为100～150sccm，基材偏压为-100～-300V，镀膜温度为80～120℃，镀膜时间为5～10min。
10.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成氮氧化铬层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用金属铬靶，以氧气和氮气为反应气体，氧气流量为50～100sccm，氮气流量为100～300sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为100～150sccm，基材偏压为-100～-300V，镀膜温度为80～120℃，镀膜时间为30～100min。
11.如权利要求7所述的镀膜件的制备方法，其特征在于：所述形成氮化铬层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，使用金属铬靶，以氮气为反应气体，氮气流量为100～300sccm，以氩气为工作气体，氩气流量为100～150sccm，基材偏压为-100～-300V，镀膜温度为80～120℃，镀膜时间为10～20min。
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