[发明专利]金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法有效
| 申请号： | 201110061764.8 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102157356A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 赵波;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 半导体器件 电极 制备 方法 | ||
1.一种金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成绝缘介质层；
在所述绝缘介质层表面形成钛衬垫；
在所述钛衬垫表面形成第一氮化钛层；
分多步在所述第一氮化钛层的表面形成金属层；
在所述金属层的表面形成第二氮化钛层。
2.如权利要求1所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，所述绝缘介质层为二氧化硅层。
3.如权利要求1所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，所述钛衬垫的厚度为300埃。
4.如权利要求1所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，所述第一氮化钛层的厚度为200埃。
5.如权利要求1所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，所述第二氮化钛层的厚度为600埃。
6.如权利要求1所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，所述金属层的厚度为10000埃。
7.如权利要求1到6中任意一项所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，所述金属层为铜金属层或者铝金属层或者铜铝金属层。
8.如权利要求1到6中任意一项所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，在分多步形成所述金属层的步骤中，通过降低目标偏置电压来降低所述金属层的沉积率。
9.如权利要求1到6中任意一项所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积的方式形成所述第一氮化钛层和所述第二氮化钛层。
10.如权利要求1到6中任意一项所述的金属-绝缘体-金属半导体器件的下电极的制备方法，其特征在于，所述金属-绝缘体-金属半导体器件为金属-绝缘体-金属电容。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
