[发明专利]一种NiO@Al2O3@TiO2同轴三层纳米电缆的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及无机纳米材料制备技术领域，具体说涉及一种NiO@Al₂O₃@TiO₂同轴三层纳米电缆的制备方法。

背景技术

一维纳米结构材料的制备及性质研究是目前材料科学研究领域的前沿热点之一。纳米电缆(Nanocables)由于其独特的性能、丰富的科学内涵、广阔的应用前景以及在未来纳米结构器件中占有的重要战略地位，近年来引起了人们的高度重视。同轴纳米电缆的研究起步于90年代中期，2000年以后发展比较迅猛，到目前为止，人们采用不同的合成方法，不同种类的物质已成功制备出了上百种同轴纳米电缆，如：Fe/C、Zn/ZnO、C/C、SiC/C、SiGaN/SiO_xN_y以及三层结构的Fe-C-BN和α-Si₃N₄-Si-SiO₂等。在过去的十多年中，人们在原有制备准一维纳米材料的基础上开发出许多制备同轴纳米电缆的方法，如：水热法、溶胶-凝胶法、基于纳米线法、气相生长法、模板法等。继续探索新的合成技术，不断发展和完善同轴纳米电缆的制备科学，获得高质量的同轴纳米电缆，仍是目前同轴纳米电缆研究的主要方向。

由于二氧化钛TiO₂和氧化镍NiO具有优异的光催化、高的光电转化效率、超强的化学稳定性以及很好的生物相容性等性能，因而在光催化分解有机物、光电池电极、珠光材料、组织器官、消毒抗菌等方面获得广泛应用。氧化铝Al₂O₃具有良好的耐腐蚀性，较高的化学稳定性、热稳定性，广泛应用于冶金、机械、化工、电子、医学、航空和国防等方面。纳米化后的Al₂O₃在精密陶瓷方面更有着重要的应用，对其表面进行包覆处理，有望获得一些新的性能和应用。目前未见通过NiO、Al₂O₃和TiO₂构建NiO@Al₂O₃@TiO₂同轴三层纳米电缆的报道，@表示芯壳结构，即电缆结构，此电缆为三层电缆结构，芯层@中间层@壳层，芯层为NiO，中间层为Al₂O₃，壳层为TiO₂，此纳米电缆具有特殊的结构，以期获得更广泛的应用。