[发明专利]一种功率器件衬底背面的离子注入方法有效
| 申请号： | 201110054844.0 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102157363A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;肖璇;张超;吴宽;谢加雄;李婷;刘小龙 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 衬底 背面 离子 注入 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率器件衬底背面的离子注入方法，在完成功率器件正面工艺步骤后，进行包括下述步骤的操作：
步骤1：在功率器件衬底背面注入硼或磷杂质离子；
步骤2：杂质离子激活；
步骤3：功率器件衬底背面减薄至杂质注入层；
步骤4：采用溅射或者蒸发方法在功率器件衬底背面生长金属铝层。
2.根据权利要求1所述的功率器件衬底背面的离子注入方法，其特征在于，步骤1在功率器件衬底背面注入硼或磷杂质离子时，杂质离子的注入剂量为1×1013～2×1015cm-2，能量范围为30Kev～300Kev，注入深度为
3.根据权利要求1所述的功率器件衬底背面的离子注入方法，其特征在于，步骤2对杂质离子进行激活时，采用快速热退火工艺或者高温炉退火工艺。
4.根据权利要求3所述的功率器件衬底背面的离子注入方法，其特征在于，所述快速热退火工艺的退火温度为900℃～1100℃之间，退火时间为5-60s。
5.根据权利要求3所述的功率器件衬底背面的离子注入方法，其特征在于，所述高温炉退火工艺的退火温度在800℃～1000℃之间，退火时间为20-40min。
6.根据权利要求1所述的功率器件衬底背面的离子注入方法，其特征在于，步骤3对功率器件衬底背面进行减薄时的工艺方法为腐蚀工艺或研磨工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
