[发明专利]牺牲栅去除方法及栅堆叠制作方法

权利要求书

1.一种去除栅堆叠中牺牲栅的方法，包括：

对牺牲栅进行各向同性湿法刻蚀，以去除牺牲栅。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

栅堆叠包括所述牺牲栅、位于牺牲栅之下的栅介质层、以及侧墙，

其中在湿法刻蚀步骤中，选择相对于栅介质层、侧墙材料而对牺牲栅具有选择性刻蚀作用的刻蚀剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述牺牲栅的材料包括多晶硅，所述栅介质层的材料包括氧化物、氮氧化物或高K材料，所述侧墙的材料包括氧化物和/或氮化物；以及

所述刻蚀剂包括四甲基氢氧化氨TMAH溶液。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述高k材料包括HfSiON、HfO₂、HfSiAlON和HfSiO之一或其组合。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，TMAH溶液的浓度为10-25(体积)％，刻蚀温度为60-80℃。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，TMAH溶液的浓度为10(体积)％，刻蚀温度为60℃。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，

在刻蚀温度为60℃的情况下，过刻阶段时间为主刻阶段时间的100-200％；或者

在刻蚀温度为80℃的情况下，过刻阶段时间不超过主刻阶段时间的100％。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在刻蚀牺牲栅之前，该方法还包括：

对牺牲栅表面进行预处理，以便能够对牺牲栅进行刻蚀。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，通过干法刻蚀来进行预处理。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，利用SF₆或CF₄基气体，进行干法刻蚀，

其中根据牺牲栅表面存在的氧化层厚度以及干法刻蚀的速度，确定刻蚀时间，以在预处理中去除所述氧化层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，刻蚀时间不超过10秒。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，通过湿法刻蚀来进行预处理。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，利用HF或缓冲氧化物刻蚀BOE溶液，进行湿法刻蚀，

其中根据牺牲栅表面存在的氧化层厚度以及湿法刻蚀的速度，确定刻蚀时间，以在预处理中去除所述氧化层。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，使用浓度为3-5(体积)％的HF溶液，或者浓度为7-15(体积)％的BOE溶液。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，刻蚀时间为5-10秒。

16.根据权利要求8所述的方法，其中，在预处理并进行清洗之后，进行所述湿法刻蚀步骤。

17.一种制作栅堆叠的方法，包括：

在半导体衬底上形成包括牺牲栅的第一栅堆叠；

根据权利要求1中所述的方法，去除第一栅堆叠中的牺牲栅；以及

在第一栅堆叠中由于去除牺牲栅而形成的开口中填充栅导体，形成第二栅堆叠。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一栅堆叠还包括栅介质，所述栅介质的材料包括氧化物、氮氧化物或高k材料，以及

所述栅导体包括金属栅导体。