[发明专利]感测放大器和包括感测放大器的半导体装置有效
申请号: | 201110040456.7 | 申请日: | 2011-02-18 |
公开(公告)号: | CN102314928A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 林奎南;崔烘硕;庆箕明;朴文必;朴善花 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06;G11C7/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;张文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放大器 包括 半导体 装置 | ||
1.一种感测放大器,其被配置为传送第一数据I/O线上的数据至第二数据I/O线,或传送所述第二数据I/O线上的数据至所述第一数据I/O线,其中所述第一数据I/O线在激活操作期间与所述第二数据I/O线持续地耦合。
2.如权利要求1所述的感测放大器,其中所述感测放大器被配置为响应于被使能来选择所述第二数据I/O线的I/O开关信号,将所述第一数据I/O线与所述第二数据I/O线耦合。
3.如权利要求2所述的感测放大器,其中所述I/O开关信号由激活信号或行选择信号产生。
4.一种感测放大器,包括:
数据线连接单元,所述数据线连接单元被配置为响应于I/O开关信号将第一数据I/O线与第二数据I/O线耦合;以及
混合式数据传输单元,所述混合式数据传输单元被配置为响应于感测放大器使能信号将所述第一数据I/O线放大。
5.如权利要求4所述的感测放大器,其中所述I/O开关信号由激活信号或行选择信号产生。
6.如权利要求4所述的感测放大器,其中所述感测放大器使能信号由读取命令或写入命令产生。
7.如权利要求6所述的感测放大器,其中所述感测放大器使能信号由列译码器模块产生。
8.如权利要求4所述的感测放大器,其中所述混合式数据传输单元被配置为:当所述感测放大器使能信号被使能时,差动地放大所述第一数据I/O线上的数据以传送所述数据至所述第二数据I/O线,或者基于从所述第二数据I/O线传送来的数据,差动地放大所述第一数据I/O线。
9.一种半导体装置,包括:
感测放大器,所述感测放大器被配置为响应于I/O开关信号和驱动感测放大器使能信号在第一数据I/O线与第二数据I/O线之间传送数据;以及
预充电单元,所述预充电单元被配置为响应于驱动预充电信号将所述第一数据I/O线预充电,
其中,所述驱动感测放大器使能信号和所述驱动预充电信号由在多个存储块之间的电路区域中的一个或更多个元件产生。
10.如权利要求9所述的半导体装置,其中所述感测放大器被配置为响应于所述I/O开关信号将第一数据I/O线与第二数据I/O线互相耦合,并响应于所述驱动感测放大器使能信号差动地放大所述第一数据I/O线。
11.如权利要求9所述的半导体装置,其中所述I/O开关信号由激活信号或行选择信号产生。
12.如权利要求9所述的半导体装置,其中所述半导体装置还包括驱动器模块,所述驱动器模块位于所述存储块之间的电路区域中,以接收感测放大器使能信号、预充电信号和所述I/O开关信号,以产生所述驱动感测放大器使能信号和所述驱动预充电信号。
13.如权利要求12所述的半导体装置,其中所述感测放大器使能信号由读取命令或写入命令产生。
14.如权利要求12所述的半导体装置,其中所述感测放大器使能信号和所述预充电信号由列译码器模块产生。
15.如权利要求9所述的半导体装置,其中所述预充电单元被配置为响应于所述驱动预充电信号而利用核心电压将所述第一数据I/O线预充电。
16.一种半导体装置,包括:
被分配有多个位线的第一存储块和第二存储块;
位线感测放大器,所述位线感测放大器被配置为将所述多个位线放大;
第一数据I/O线,所述第一数据I/O线被配置为与所述多个位线耦合;
感测放大器,所述感测放大器被配置为在所述第一数据I/O线与第二数据I/O线之间传送数据,并在激活操作期间实质地维持所述第一数据I/O线与所述第二数据I/O线的电连接;以及
预充电单元,所述预充电单元被配置为将所述第一数据I/O线预充电,
其中,控制所述感测放大器的感测放大器使能信号和控制所述预充电单元的预充电信号在列译码器模块中产生。
17.如权利要求16所述的半导体装置,其中所述半导体装置还包括驱动器模块,所述驱动器模块被配置为接收所述感测放大器使能信号、所述预充电信号以及I/O开关信号,以产生驱动感测放大器使能信号和驱动预充电信号。
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