[发明专利]薄膜沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 201110035610.1 | 申请日: | 2011-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN102169968A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
| 发明(设计)人: | 金贞莲;成沄澈 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;李娜娜 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄膜 沉积 设备 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜沉积设备,该薄膜沉积设备用于在基底上形成薄膜,所述薄膜沉积设备包括:
沉积源,排放沉积材料;
沉积源喷嘴单元,设置在沉积源的一侧处,并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴;
图案化缝隙片,设置为与沉积源喷嘴单元相对,并包括在图案化缝隙片的一端处的共用沉积区域和在另一端处的沿第一方向的多个图案化缝隙,其中,所述多个图案化缝隙中的每个图案化缝隙包括长度不同的多个图案化子缝隙;
障碍板组件,沿第一方向设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间,并包括将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的沉积空间划分为多个子沉积空间的多个障碍板,
其中,所述薄膜沉积设备与基底分开预定的距离,所述薄膜沉积设备和基底能够相对于彼此移动。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述多个图案化缝隙中的每个图案化缝隙包括:
第一图案化子缝隙,具有第一长度;
第二图案化子缝隙,具有与第一长度不同的第二长度;
第三图案化子缝隙,具有与第一长度和第二长度不同的第三长度。
3.如权利要求2所述的薄膜沉积设备,其中,第一图案化子缝隙、第二图案化子缝隙、第三图案化子缝隙交替并重复地形成在图案化缝隙片中。
4.如权利要求2所述的薄膜沉积设备,其中,第一图案化子缝隙与基底的红子像素区域对应,第二图案化子缝隙与基底的绿子像素区域对应,第三图案化子缝隙与基底的蓝子像素区域对应,第一长度比第二长度长,第二长度比第三长度长。
5.如权利要求2所述的薄膜沉积设备,其中,根据第一图案化子缝隙的长度、第二图案化子缝隙的长度、第三图案化子缝隙的长度来控制在基底的各区域上沉积的沉积材料的量。
6.如权利要求2所述的薄膜沉积设备,其中,从沉积源排放的沉积材料沉积在基底上的红子像素区域、绿子像素区域、蓝子像素区域上。
7.如权利要求6所述的薄膜沉积设备,其中,
沉积在红子像素区域上的沉积材料的层比沉积在绿子像素区域上的沉积材料的层厚,
沉积在绿子像素区域上的沉积材料的层比沉积在蓝子像素区域上的沉积材料的层厚。
8.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,每个障碍板沿与第一方向垂直的第二方向延伸,以将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的沉积空间划分为所述多个子沉积空间。
9.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述多个障碍板按相等的间距布置。
10.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,障碍板组件包括第一障碍板组件和第二障碍板组件,第一障碍板组件包括多个第一障碍板,第二障碍板组件包括多个第二障碍板。
11.如权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中,每个第一障碍板和每个第二障碍板沿与第一方向垂直的第二方向延伸,以将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间划分为所述多个子沉积空间。
12.如权利要求10所述的薄膜沉积设备,其中,第一障碍板布置为分别与第二障碍板对应。
13.如权利要求12所述的薄膜沉积设备,其中,每对对应的第一障碍板和第二障碍板布置在同一平面上。
14.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,在基底相对于所述薄膜沉积设备移动的同时,从所述薄膜沉积设备排放的沉积材料连续地沉积在基底上。
15.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述薄膜沉积设备或基底沿与基底的表面平行的平面相对于彼此移动,在基底的该表面上沉积沉积材料。
16.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,障碍板组件引导从沉积源排放的沉积材料。
17.如权利要求1所述的薄膜沉积设备,其中,所述薄膜沉积设备的图案化缝隙片比基底小。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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