[发明专利]镀膜玻璃及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110031036.2 申请日: 2011-01-28
公开(公告)号: CN102617050A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;黄嘉 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C03C25/42 分类号: C03C25/42;C03C25/22;C23C14/06;C23C14/35
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 玻璃 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种镀膜玻璃及该镀膜玻璃的制备方法。

背景技术

低辐射镀膜玻璃能够允许太阳中的热辐射部分进入内部空间,而将内部空间发出的大部分热辐射保留在内部空间,减少内部空间的热量向外散失,有助于保持空间的温度。此外,低辐射玻璃还具有较高的可见光透过率,较低的可见光反射率,可以降低反射强光,从而降低光污染。

现有低辐射玻璃包括玻璃基体及辐射膜。所述辐射膜通常由银镀设于玻璃上。然而,银质地较软,耐磨性低,难于与玻璃基体相结合,从而导致该低辐射玻璃使用寿命较短。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种耐磨,使用寿命较长的镀膜玻璃。

另外,还有必要提供一种上述低辐射玻璃的制备方法。

一种镀膜玻璃,其包括玻璃基材及形成于玻璃基材表面的镀膜层,该镀膜层为Sb、Bi共参杂的SnO2薄膜,其中Sb、Bi与Sn的摩尔比为:Sn∶Sb∶Bi=11~14∶1.2~2∶0.2~1.5,该镀膜层的厚度为300~450nm。

一种镀膜玻璃的制备方法,包括如下步骤:

提供真空镀膜机、玻璃基材及靶材,该真空镀膜机包括镀膜室,所述靶材由摩尔百分含量为10~15%的Sb、75%~85%的SnO2及5~10%的Bi组成或者由10~15%的Sb、75%~85%的Sn及5~10%的Bi组成;

将玻璃基材及靶材安装于真空镀膜机的镀膜室内;

玻璃基材及形成于玻璃基材表面的镀膜层,该镀膜层为Sb、Bi共参杂的SnO2薄膜,其中Sb、Bi与Sn的摩尔比为:Sn∶Sb∶Bi=11~14∶1.2~2∶0.2~1.5,该镀膜层厚度为300~450nm。

该镀膜层为金属氧化物形成的膜层,与玻璃之间形成共价键,与玻璃的结合力较好;该镀膜层的硬度较高,耐磨性得到了较大提高,该镀膜层引入金属Sb、Bi,通过Sb5+、Bi5+代部分Sn4+,产生自由电子,从而获得更高的导电率,该镀膜层具有良好的稳定性,使用寿命长。

附图说明

图1为本发明较佳实施例镀膜玻璃的剖视图;

图2是本发明较佳实施例真空镀膜机的俯视示意图。

主要元件符号说明

镀膜玻璃    10

玻璃基材    11

镀膜层      13

真空镀膜机  20

镀膜室      21

靶材        23

具体实施方式

请参阅图1,本发明较佳实施方式的镀膜玻璃10,其包括玻璃基材11及形成于玻璃基材11上的镀膜层13,该镀膜层13为一低辐射膜层,在本发明的较佳实施例中,该镀膜层13为Sb、Bi共参杂的SnO2薄膜,其中Sb、Bi、Sn的摩尔比为:11~14∶1.2~2∶0.2~1.5,即Sn∶Sb∶Bi=11~14∶1.2~2∶0.2~1.5。该镀膜层13的厚度为300~450nm,电阻率为2~4×10-3欧姆·米,可见光透过率为84~90%。

请参阅图2,本发明较佳实施方式的镀膜玻璃10的制备方法包括如下步骤:

提供靶材23、真空镀膜机20及玻璃基材11。

对该玻璃基材11进行清洁前处理。该清洁前处理可包括以下步骤:将玻璃基材11放入无水乙醇中进行超声波清洗,清洗时间可为5~10min。

对经上述清洁前处理后的玻璃基材11的表面进行等离子体清洗,以进一步去除玻璃基材11表面的脏污,以及改善玻璃基材11表面与后续镀层的结合力。

将上述玻璃基材11放入所述真空镀膜机20的镀膜室21内,将该镀膜室21抽真空至5.0~3.0×10-5Torr,然后向镀膜室21内通入流量为200~400sccm(标准状态毫升/分钟)的工作气体氩气(纯度为99.999%),并施加-200~-300V的偏压于玻璃基材11,对玻璃基材11表面进行氩气等离子体清洗,清洗时间为10~20min。

采用磁控溅射法在经氩气等离子体清洗后的玻璃基材11的表面沉积一镀膜层13。

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