[发明专利]镀膜玻璃及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110031036.2 申请日: 2011-01-28
公开(公告)号: CN102617050A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;黄嘉 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C03C25/42 分类号: C03C25/42;C03C25/22;C23C14/06;C23C14/35
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地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 镀膜 玻璃 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种镀膜玻璃,其包括玻璃基材及形成于玻璃基材表面的镀膜层,其特征在于:该镀膜层为Sb、Bi共参杂的SnO2薄膜,其中Sb、Bi、Sn的摩尔比为:Sn∶Sb∶Bi=11~14∶1.2~2∶0.2~1.5,该镀膜层的厚度为300~450nm。

2.如权利要求1所述的镀膜玻璃,其特征在于:镀膜层采用由Sb、SnO2及Bi组成的靶材镀膜形成,所述靶材由摩尔百分含量为:10~15%的Sb、75%~85%的SnO2及5~10%的Bi组成或者采用由Sb、Sn及Bi组成的合金靶材镀膜形成,所述合金靶材由摩尔百分含量为10~15%的Sb、75%~85%的Sn及5~10%的Bi组成。

3.如权利要求2所述的镀膜玻璃,其特征在于:该镀膜层中Sn、Sb与Bi的摩尔的比为Sn∶Sb∶Bi=13~13.6∶1.4~1.6∶0.76∶0.8、12~13∶1.6~1.8∶1.25~1.35、13~13.5∶1.7~1.9∶0.8~1、13~13.6∶1.56~1.7∶0.4~0.7、12.6~13.4∶1.3~1.5∶0.3~0.6或者11.6~13∶1.3~1.4∶1.2~1.32。

4.如权利要求1所述的镀膜玻璃,其特征在于:该镀膜层的电阻率为2~4×10-3欧姆·米,可见光透过率84~90%。

5.一种镀膜玻璃的制备方法,包括如下步骤:

提供真空镀膜机、玻璃基材及靶材,该真空镀膜机包括镀膜室,所述靶材由摩尔百分含量为10~15%的Sb、75%~85%的SnO2及5~10%的Bi组成或者由10~15%的Sb、75%~85%的Sn及5~10%的Bi组成;

将玻璃基材及靶材安装于真空镀膜机的镀膜室内;

在玻璃基材上镀膜形成镀膜层,该镀膜层为Sb、Bi共参杂的SnO2薄膜,其中Sb、Bi与Sn的摩尔百分比为:Sn∶Sb∶Bi=11~14∶1.2~2∶0.2~1.5,该镀膜层的厚度为300~450nm。

6.如权利要求5所述的镀膜玻璃的制备方法,其特征在于:在形成镀膜层之前,还包括对玻璃基材进行等离子清洗的步骤。

7.如权利要求6所述的镀膜玻璃的制备方法,其特征在于,该等离子清洗在以下条件下进行:将该镀膜室抽真空至5.0~3.0×10-5Torr,然后向镀膜室内通入流量为200~400sccm的工作气体氩气,并施加-200~-300V的偏压于玻璃基材,对玻璃基材表面进行氩气等离子体清洗,清洗时间为10~20min。

8.如权利要求5所述的镀膜玻璃的制备方法,其特征在于,该镀膜层采用磁控溅射法形成。

9.如权利要求8所述的镀膜玻璃的制备方法,其特征在于,该镀膜层在以下条件下反应形成:该靶材23的功率为5~8kw,反应气体氧气的流量为60~85sccm,工作气体氩气的流量为300~320sccm,玻璃基材的偏压为-100~-120V,镀膜温度为200~250℃,镀膜时间为35~40min。

10.如权利要求5所述的镀膜玻璃的制备方法,其特征在于,所述靶材由摩尔百分含量为:10%的Sb、85%的SnO2、5%的Bi、15%的Sb、75%的SnO2、10%的Bi、12%的Sb、82%的SnO2、6%的Bi、12%的Sb、80%的SnO2、8%的Bi、9%的Sb、84%的SnO2、8%的Bi或者10%的Sb、80%的SnO2、10%的Bi组成。

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