[发明专利]提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法

权利要求书

1.一种提高非易失性电阻转变存储器均一性的方法，其特征在于，包括：

施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到电阻表示电阻转变存储 器的置位态；以及

施加一个电流扫描信号到电阻转变存储器，直到电阻表示电阻转变存储 的复位态;

在对所述电阻转变存储器进行置位时，对所述施加的电流扫描范围进行 限定；在对所述电阻转变存储器进行复位时，对复位电压的最大值进行限制。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻转变存储器包括：

下电极；

在所述下电极上形成的介质层；以及

形成于所述介质层上的上电极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述下电极和上电极由选自铂、镍、铜、金、钨、铬、钌、铱、钴或其 合金中的一种材料形成。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：

所述介质层的材料包括硫族化物、二元氧化物或多元氧化物。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述硫族化物包括AgGe_xSe_1-x、AgGeS、CuGeS、AgZn_xCd_1-x、CuI_0.76S_0.14或Cu₂Se。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：

所述二元氧化物包括锆的氧化物、铪的氧化物、钛的氧化物、铝的氧化 物、铜的氧化物、镍的氧化物、锌的氧化物或锰的氧化物。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述多元氧化物包括Pr_1-xCa_xMnO₃或SrZrO₃。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：

所述介质层的材料还包括CuWO_x、CuSiO_x、AgI、AgSb_xTe_1-x或 (Ag₂S)_x(As₂S₃)_1-x。