[发明专利]高效发光二极管有效
| 申请号： | 201080069085.9 | 申请日： | 2010-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN103098239A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 尹余镇;徐源哲 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高效 发光二极管 | ||
1.一种高效发光二极管，所述发光二极管包括基板、n-半导体层、活性层、p-半导体层以及透明电极层，
其中，所述基板在其下侧中具有多个锥形的凹陷，所述凹陷填充有反光填料。
2.根据权利要求1所述的高效发光二极管，其中，凹陷具有基板厚度的1/3至1/2的深度。
3.根据权利要求1所述的高效发光二极管，其中，基板的厚度从150μm至250μm。
4.根据权利要求1所述的高效发光二极管，其中，发光填料是从由TiO2、PbCO3、SiO2、ZrO2、PbO、Al2O3、ZnO、Sb2O3及其组合物组成的组中选择的一种。
5.根据权利要求1所述的高效发光二极管，其中，锥形凹陷的侧表面具有从40°至70°的倾斜度。
6.根据权利要求1所述的高效发光二极管，其中，基板在其上部分上具有凹凸图案。
7.根据权利要求1所述的高效发光二极管，其中，所述基板是蓝宝石基板。
8.根据权利要求1所述的高效发光二极管，所述高效发光二极管还包括形成在电极焊盘下方的反射层，电极焊盘形成在透明电极层上。
9.根据权利要求8所述的高效发光二极管，其中，反射层形成在透明电极层和电极焊盘之间。
10.根据权利要求9所述的高效发光二极管，其中，透明电极层形成在电极焊盘下方并具有凹凸的构造。
11.根据权利要求1所述的高效发光二极管，所述高效发光二极管还包括反射层，所述反射层形成在p-半导体层上对应于电极焊盘的区域中，透明电极层形成为覆盖反射层。
12.根据权利要求8所述的高效发光二极管，其中，电极焊盘具有沿着水平方向从其相反的边缘延伸的延伸件，并且反射层形成在延伸件的下方。
13.根据权利要求8所述的高效发光二极管，其中，反射层是布拉格反射器。
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