[发明专利]半导体装置和电子装置有效

专利信息
申请号: 201080061403.7 申请日: 2010-12-17
公开(公告)号: CN102696064A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 宍戶英明 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09F9/30
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 杨美灵;李浩
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 电子
【说明书】:

技术领域

本发明涉及半导体装置。具体来说,本发明涉及通过有源矩阵驱动来显示图像的半导体装置。此外,本发明涉及包括半导体装置的电子装置。

注意,本说明书中的半导体装置表示通过利用半导体特性进行操作的所有装置。

背景技术

广泛使用通过有源矩阵驱动来显示图像的半导体装置(下文中,这种装置又称作有源矩阵显示装置)。半导体装置包括显示图像的像素部分以及控制像素部分中的图像的显示的驱动器电路。具体来说,在半导体装置中,输入到以矩阵布置在像素部分中的多个像素的图像信号由驱动器电路来控制,并且这样显示图像。注意,驱动器电路以及设置在像素部分中的多个像素各具有晶体管。

从降低制造成本并且降低这种半导体装置的尺寸和重量的观点来看,期望各像素中包括的晶体管以及驱动器电路或者驱动器电路的一部分中包括的晶体管在相同衬底之上形成。注意,这些晶体管所要求的特性相互不同。例如,要求各像素中包括的晶体管在玻璃衬底之上形成(通过低温过程来形成),而要求驱动器电路中包括的晶体管以高频率来驱动。因此,能够通过诸如等离子体CVD之类的低温过程来形成的晶体管作为各像素中包括的晶体管是优选的,而具有高场效应迁移率的晶体管作为驱动器电路中包括的晶体管是优选的。

通常,包括非晶硅的晶体管作为各像素中包括的晶体管是优选的,而包括单晶硅或多晶硅的晶体管作为驱动器电路中包括的晶体管是优选的。但是,难以以高频率来驱动包括非晶硅的晶体管,并且难以通过低温过程来形成包括单晶硅或多晶硅的晶体管。

鉴于上述问题,已经开发称作多相驱动(下文中又称作数据划分驱动)的技术。数据划分驱动是一种技术,其中从外部输入的图像信号分为多个图像信号,并且多个图像信号并发地输入到多个像素。因此,驱动器电路的工作频率能够降低。例如,当一个图像信号分为四个图像信号时,驱动器电路的工作频率能够降低到信号划分之前的工作频率的四分之一。

但是,在执行数据划分驱动的情况下,驱动器电路具有复杂结构;例如,向像素部分提供图像信号的布线(下文中,这类布线又称作数据信号线)的数量增加。因此,向像素提供图像信号的布线(下文中,这类布线又称作源极信号线)的布线电阻和寄生电容可能变化。在那种情况下,输入到像素的图像信号因源极信号线之间在布线电阻和寄生电容方面的差而变化,由此条纹图案可能在所显示图像中形成。

专利文献1中,公开一种抑制条纹图案的形成的技术。具体来说,在专利文献1中公开通过拉平多个源极信号线中的布线电阻和寄生电容来抑制所显示图像中的条纹图像的形成的技术。

[参考文献]

[专利文献1] 日本专利申请公布号 H9-325347。

发明内容

如上所述,在有源矩阵显示装置中,从外部输入的图像信号通过数据信号线输入到像素部分。一般来说,开关设置在一个数据信号线与多个源极信号线的每个源极信号线之间,并且数据信号线与源极信号线之间的电连接通过开关来控制。换言之,多个开关接连接通,使得多个源极信号线一个接一个电连接到数据信号线。相应地,期望图像信号从数据信号线提供给每个源极信号线。

又在执行数据划分驱动的显示装置中,图像信号按照相似方式从数据信号线提供给每个源极信号线。具体来说,在一个图像信号分为四个图像信号的情况下,设置四个数据信号线,并且开关设置在每个数据信号线与多个源极信号线的每个源极信号线之间。开关分为各包括四个开关的编组。也就是说,各包括四个开关的编组接连接通,以便各编组中的四个源极信号线可电连接到四个数据信号线。因此,开关的工作频率降低到信号划分之前的工作频率的四分之一,并且期望图像信号从数据信号线提供给每个源极信号线。

但是,在执行数据划分驱动的显示装置中,所显示图像可能在编组的边界具有条纹图案。更具体来说,在开关分为四的编组的情况下,所显示图像可能在第4k位置(k为自然数)中的源极信号线与第(4k+1)位置中的源极信号线之间的边界具有条纹图案。

鉴于上述问题,本发明的一实施例的目的是抑制半导体装置中的信号的变化。注意,通过抑制变化,例如能够抑制在半导体装置上显示图像中的条纹图案的形成。

上述问题之一能够通过抑制因电容耦合引起的半导体装置中的信号的改变得到解决。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080061403.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top