[发明专利]固态图像拾取装置和图像拾取系统有效

专利信息
申请号: 201080058034.6 申请日: 2010-12-22
公开(公告)号: CN102714212A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 远藤信之;板野哲也;山崎和男;渡边杏平;市川武史 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李向英
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 图像 拾取 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种固态图像拾取装置,包括:

第一衬底,包括光电转换元件和被配置为从所述光电转换元件传输电荷的传输栅电极;

第二衬底,具有外围电路部分,所述外围电路部分包括被配置为读取基于所述光电转换元件中产生的电荷的信号的电路,所述第一衬底和所述第二衬底被层叠;

布置在所述第一衬底上的包括铝互连的多层互连结构;以及

布置在所述第二衬底上的包括铜互连的多层互连结构。

2.根据权利要求1的装置,其中,所述第一衬底和所述第二衬底被层叠,使得在其上布置所述传输栅电极的所述第一衬底的主面面对在其上将晶体管布置在所述外围电路部分中的所述第二衬底的主面。

3.根据权利要求1的装置,其中,所述第一衬底和所述第二衬底被层叠,使得在其上布置所述传输栅电极的所述第一衬底的主面面对与在其上将晶体管布置在所述外围电路部分中的所述第二衬底的主面相对的后面。

4.根据权利要求2的装置,其中,布置在所述第一衬底上的包括所述铝互连的多层互连结构包括对铜的防扩散膜。

5.根据权利要求4的装置,其中,所述第二衬底中的外围电路部分设置有高熔点金属化合物膜,以及所述对铜的防扩散膜也用作对高熔点金属的防扩散膜。

6.根据权利要求3的装置,其中,布置在所述第一衬底上的包括铝互连的多层互连结构包括对铜的防扩散膜。

7.根据权利要求6的装置,其中,所述第二衬底中的外围电路部分设置有高熔点金属化合物膜,以及所述对铜的防扩散膜也用作对高熔点金属的防扩散膜。

8.根据权利要求1的装置,其中,所述包括铜互连的多层互连结构包括布置在所述铜互连上的对铜的防扩散膜。

9.根据权利要求8的装置,其中,所述对铜的防扩散膜被图案化以便对应于所述铜互连的图案。

10.根据权利要求8的装置,其中,所述对铜的防扩散膜包括氮化硅或碳化硅。

11.根据权利要求1的装置,其中,

所述第一衬底包括浮动扩散区,通过所述传输栅电极从所述光电转换元件向所述浮动扩散区传输电荷;

所述第二衬底包括:具有栅电极的放大晶体管,向所述栅电极输入基于所述浮动扩散区的电位的信号;以及复位晶体管,被配置为把所述放大晶体管的栅电极设置为复位电位;以及

在所述第二衬底上设置有信号线,向所述信号线输出基于所述放大晶体管的栅电极的信号。

12.根据权利要求1的装置,其中,

所述第一衬底包括:浮动扩散区,通过所述传输栅电极从所述光电转换元件向所述浮动扩散区传输电荷;具有栅电极的放大晶体管,向所述栅电极输入基于所述浮动扩散区的电位的信号;以及复位晶体管,被配置为把所述放大晶体管的栅电极设置为复位电位;以及

在所述第二衬底上设置有信号线,向所述信号线输出基于所述放大晶体管的栅电极的信号。

13.一种图像拾取系统,包括:

根据权利要求1的固态图像拾取装置;以及

信号处理单元,被配置为处理从所述固态图像拾取装置输出的信号。

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