[发明专利]一种带有成角度侧壁的静电卡盘

权利要求书

1.一种基板支承组件，其用来在等离子体处理室内支承基板，该等离子体处理室被配置用来蚀刻基板，所述基板支承组件包括:

上部基板支承组件表面，其被设置成在等离子体处理过程中用来支承基板，使得所述基板向上部基板支承组件表面的外部边缘之外延伸，和

成角度侧壁，其从所述上部基板支承组件表面的所述外部边缘向外和向下延伸，所述成角度侧壁被配置成具有与围绕所述基板支承组件的边缘环的上表面基本共面的外部边缘，所述边缘环的上表面面对所述基板的边缘部分的下表面，

其中，所述成角度的侧壁在等离子体处理过程中积聚副产物沉积物。

2.根据权利要求1所述的基板支承组件，其中在所述成角度侧壁和所述上部基板支承组件表面之间的锐角是在35度到75度之间。

3.根据权利要求1所述的基板支承组件，其中在所述成角度侧壁与所述上部基板支承组件表面之间的锐角是在45度到60度之间。

4.根据权利要求1所述的基板支承组件，其中所述成角度侧壁的宽度在0.005至0.04英寸之间。

5.根据权利要求1所述的基板支承组件，其中所述成角度侧壁的宽度在0.01至0.03英寸之间。

6.根据权利要求1所述的基板支承组件，进一步包括:

嵌入电极，其被配置成通过静电夹持所述基板；

在上部基板支承组件表面的至少一个沟槽、台面、孔或者凹形区域，该沟槽、台面、孔或者凹形区域与氦气源流体联通，并且被配置成在等离子体处理过程中影响所述上部基板支承组件表面与所述基板之间的热传递。

7.根据权利要求1所述的基板支承组件，其中所述基板支承组件被配置成使得悬挂于所述基板支承组件上的所述基板的边缘部分的宽度为1mm至3mm。

8.在等离子体处理室内的下部电极装置，其被配置为在等离子体处理过程中支承基板，所述下部电极装置包括如权利要求1所述的基板支承组件和围绕所述基板支承组件的边缘环，其中：

所述基板的边缘部分悬挂于所述基板支承组件的上面，并位于所述边缘环的上表面的上面；

所述边缘环的所述上表面与所述基板支承组件的所述成角度侧壁的外部边缘基本上共面。

9.一种移除如权利要求1所述的基板支承组件的成角度侧壁上的副产物沉积物的方法，该方法包括：

在所述基板支承组件上没有基板时，在所述基板支承组件上产生等离子体;

用所述等离子体撞击所述副产物沉积物。