[发明专利]集成存储器阵列及形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种形成存储器阵列的方法，其包括：

形成包括垂直间隔开的半导体材料板的堆叠；

蚀刻穿过所述板以将所述板细分成若干平面片；

沿着所述平面片的侧壁边缘且与所述平面片的侧壁边缘电连接地形成水平延伸导电层；

将所述平面片图案化成导线阵列；所述阵列包括若干垂直列及水平行；所述导电层互连所述阵列的个别行的导线；个别导线具有接合到所述导电层的第一端、具有与所述第一端成相对关系的第二端，且具有位于所述第一与第二端之间的中间区；

沿着所述导线的所述中间区形成至少一种栅极材料；

在所述导线的所述第二端处形成存储器单元结构；及

形成经由所述存储器单元结构连接到所述导线的多个垂直延伸电互连件；个别垂直延伸电互连件沿着所述阵列的个别列。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述板之间提供绝缘材料薄片；且其中在所述将所述板细分成所述平面片期间以及在所述将所述平面片图案化成所述导线阵列期间，图案化所述薄片的所述绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述堆叠包括：

形成第一与第二半导体材料的交替层，其中所述第一半导体材料可相对于所述第二半导体材料选择性地移除；及

相对于所述第二半导体材料选择性地移除所述第一半导体材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一及第二半导体材料中的一者由硅组成，且其中所述第一及第二半导体材料中的另一者由硅/锗组成。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一及第二半导体材料中的所述一者经n型掺杂，且其中所述第一及第二半导体材料中的所述另一者经p型掺杂。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在第一与第二半导体材料的所述交替层之间提供电绝缘材料层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述绝缘材料层由二氧化硅组成。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述导电层包括：

掺杂所述平面片的所述侧壁边缘的所述半导体材料；及

由所述经掺杂半导体材料形成金属硅化物流道。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述形成所述导电层包括：

使所述平面片的所述侧壁边缘的所述半导体材料凹入；及

在所述凹部内形成导电线。

10.一种形成存储器阵列的方法，其包括：

形成包括垂直堆叠的半导体材料板的构造；所述板通过间隙而彼此垂直间隔开；

图案化所述板以将所述板细分成具有侧壁边缘的多个平面片；所述平面片为垂直堆叠的；

在所述间隙中提供绝缘材料间隔件；

沿着所述平面片的所述侧壁边缘形成导电层；所述导电层彼此垂直间隔开；

蚀刻穿过所述平面片的所述半导体材料且穿过所述间隔件的所述绝缘材料以形成正交于所述导电层延伸的线；所述线中的一些线为半导体材料线，且所述线中的其它线为绝缘材料线；

沿着所述半导体材料线形成栅极电介质；

形成通过所述栅极电介质而与所述半导体材料线间隔开的栅极材料；

形成通过所述半导体材料线的开口以将每一半导体材料线分拆成一对段；每一段通过所述栅极材料、具有接合到导电层的第一端，且具有与所述第一端成相对关系的第二端；所述段被布置为包括若干垂直列及水平行的阵列；所述导电层沿着所述段阵列的所述行延伸；

在所述段的所述第二端处形成存储器单元结构；及

形成经由所述存储器单元结构连接到所述段的多个垂直延伸电互连件；个别垂直延伸电互连件沿着所述阵列的个别列。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述存储器单元结构包含相变材料。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述存储器单元结构包含磁性材料。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述存储器单元结构为反熔丝结构；且所述方法进一步包括通过熔断所述反熔丝中的一些反熔丝来编程所述存储器单元结构中的一些存储器单元结构。

14.根据权利要求10所述的方法，其中在于所述间隙中提供所述绝缘材料之前细分所述半导体材料板。