[发明专利]通过写入后读取和适应性重写来管理错误的非易失性存储器和方法

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器的方法，包括：

将所述存储器配置为第一和第二部分，第一部分具有以比第二部分的错误余量更大的错误余量来操作的存储器单元；

将一组输入数据的第一副本编程在第二部分中；

在预定时间之后从所述第二部分中读取该第一副本以检查错误；以及

如果该第一副本中的错误小于预定数量的错误位，则将该第一副本标识为在随后的读取操作中的有效数据；否则

将该组输入数据的第二副本编程在该第一部分中，并将所述第二副本标识为在随后的读取操作中的有效数据。

2.根据权利要求1的方法，还包括：

在所述第一部分中提供第一和第二区块，第一区块用于缓存输入数据，第二区块用于在发现该第一副本中的错误超过预定数量的错误位之后重写该组数据的第二副本；

将输入数据的缓存的副本编程到第一区块；以及

其中，该第二副本的所述编程基于该缓存的副本，且将该第二副本编程到第一部分的第二区块中。

3.根据权利要求1的方法，其中：

在具有数据锁存器集的集成电路芯片上形成所述存储器；以及

所述读取第一副本来检查错误还包括：

将第一副本和缓存的副本读取到该数据锁存器集；以及

在该数据锁存器集处比较该第一副本和该缓存的副本。

4.根据权利要求1的方法，其中：

所述预定时间是对可能明显干扰该组输入数据的相邻存储器单元的编程的完成。

5.根据权利要求1的方法，其中：

所述预定时间是对包含该组输入数据的块中的所有存储器单元的编程的完成。

6.根据权利要求1的方法，还包括：

提供ECC用于校正至少预定量的错误。

7.根据权利要求1的方法，还包括：

提供ECC，用于校正比预定数量的错误位明显更大数量的错误位。

8.一种操作非易失性存储器的方法，包括：

将所述存储器配置为第一和第二部分，第一部分具有以比第二部分的错误余量更大的错误余量来操作的存储器单元，并用于缓存输入数据；

将一组输入数据的缓存的副本编程到第一部分中；

将该组输入数据的第一副本编程到第二部分中；

在预定时间之后从所述第二部分中读取该第一副本以检查错误；以及

如果该第一副本中的错误小于预定数量的错误位，将该第一副本标识为在随后的读取操作中的有效数据；否则

将该缓存的副本标识为在随后的读取操作中的有效数据。

9.根据权利要求8的方法，其中：

在具有数据锁存器集的集成电路芯片上形成所述存储器；以及

所述读取第一副本来检查错误还包括：

将该第一副本和该缓存的副本读取到该数据锁存器集；以及

在该数据锁存器集处比较该第一副本和该缓存的副本。

10.根据权利要求8的方法，其中：

所述预定时间是对可能明显干扰该组输入数据的相邻存储器单元的编程的完成。

11.一种存储器，包括：

具有第一和第二部分的非易失性存储器单元的阵列，第一部分具有以比第二部分的错误余量更大的错误余量来操作的存储器单元；

控制器，用于控制该存储器的操作，所述操作包括：

将一组输入数据的第一副本编程到该第二部分中；

在预定时间之后从该第二部分中读取该第一副本以检查错误；以及

如果该第一副本中的错误小于预定数量的错误位，则将该第一副本标识为在随后的读取操作中的有效数据；否则

将该组输入数据的第二副本编程到第一部分中，且将该第二副本标识为在随后的读取操作中的有效数据。

12.根据权利要求11的存储器，还包括：

在该第一部分中的第一和第二区块，第一区块用于缓存输入数据，第二区块用于在发现第一副本中的错误超过预定数量的错误位之后重写该组数据的第二副本；以及

其中，所述操作还包括：

将输入数据的缓存的副本编程到第一区块；以及

其中，所述第二副本的编程基于该缓存的副本，且将该第二副本编程到第一部分的第二区块中。