[发明专利]绝缘膜形成用涂布液、使用该涂布液的绝缘膜及该涂布液中使用的化合物的制造方法无效
| 申请号： | 201080044829.1 | 申请日： | 2010-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN102575013A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 原宪司;小林纯;横田洋大;森田博;斋藤诚一 | 申请（专利权）人： | 株式会社ADEKA |
| 主分类号： | C08G77/62 | 分类号： | C08G77/62;C01B21/068;C01B21/087;C08L83/16;C09D5/25;C09D183/16;H01L21/314;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 形成 用涂布液 使用 涂布液 涂布液中 化合物 制造 方法 | ||
1.一种绝缘膜形成用涂布液，其特征在于，其含有无机聚硅氮烷和有机溶剂，在所述无机聚硅氮烷的1H-NMR谱中，来自SiH1基和SiH2基的4.5～5.3ppm的峰面积与来自SiH3基的4.3～4.5ppm的峰面积之比为4.2～50。
2.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用涂布液，其中，所述无机聚硅氮烷的质均分子量为2000～20000。
3.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用涂布液，其中，所述无机聚硅氮烷中质均分子量为800以下的成分的比例为20％以下。
4.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用涂布液，其中，在所述无机聚硅氮烷的红外光谱中，3300～3450cm-1范围内的最大吸光度与2050～2400cm-1范围内的最大吸光度之比为0.01～0.15。
5.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用涂布液，其中，所述无机聚硅氮烷在波长633nm下的折射率为1.550～1.650。
6.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用涂布液，其中，所述无机聚硅氮烷是通过使二卤代硅烷化合物、三卤代硅烷化合物或它们的混合物与碱反应形成加合物后使氨反应而得到的无机聚硅氮烷。
7.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用涂布液，其中，所述有机溶剂中醇化合物、醛化合物、酮化合物、羧酸化合物及酯化合物的含量的总计为0.1质量％以下。
8.根据权利要求1所述的绝缘膜形成用涂布液，其中，所述无机聚硅氮烷的含量为5～40质量％。
9.一种绝缘膜，其特征在于，其通过权利要求1所述的绝缘膜形成用涂布液而得到。
10.根据权利要求9所述的绝缘膜，其经由500℃以上的焙烧工序而得到。
11.一种无机聚硅氮烷的制造方法，其是使二卤代硅烷化合物、三卤代硅烷化合物或它们的混合物与碱反应形成加合物后使该加合物与氨反应的无机聚硅氮烷的制造方法，其特征在于，
使所述加合物的溶液或分散液与氨在-50～-1℃下反应。
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