[发明专利]具有内建负载衰减器的宽带数/模转换器

说明书

本申请案涉及2009年9月30日申请的第61/247,424号美国临时专利申请案“具有内建负载衰减器的宽带数/模转换器(Wideband Digital to Analog Converter withBuilt-In Load Attenuator)”且主张所述案的优先权。

技术领域

本发明大体上涉及通信系统。更具体来说，本发明涉及用于具有内建负载衰减器的宽带数/模转换器的系统和方法。

背景技术

无线通信系统经广泛部署以提供各种类型的通信内容，例如声音、视频、数据等。这些系统可以是能够支持多个无线通信装置与一个或一个以上基站的同时通信的多址系统。

无线通信装置可以是电池操作的移动装置。因此，无线通信装置的功率消耗的减少可导致用于无线通信装置的电池寿命的增加。

无线通信装置可包含模拟和数字电路两者。举例来说，无线通信装置内的信号处理可通过数字电路执行，而信号到无线通信装置和从无线通信装置的实际传输可使用模拟电路执行。无线通信装置可利用将数字信号转换成模拟信号以供模拟电路使用的数/模转换器(DAC)。

由于无线通信系统中所使用的带宽和数据速率已增加，所以能够跨较宽频谱以较高数据速率操作的DAC已变得越来越重要。益处可通过实施具有相对较低功率消耗的宽带DAC来实现。

发明内容

附图说明

图1说明无线通信装置的各种组件；

图2是说明用于具有内建负载衰减器的宽带数/模转换器的数据流的框图；

图3是说明具有内建负载衰减器的宽带DAC的电路图；

图4是说明具有双级联电流源的DAC的框图；

图5是具有双级联电流源的DAC的电路图；

图6是用于实施具有内建负载衰减器的宽带DAC的方法的流程图；

图7说明对应于图6的方法的装置附加功能块；

图8是说明用于在芯片上系统(SOC)中使用具有内建负载衰减器的宽带DAC来执行数字预失真技术的数据流的框图；以及

图9说明可包含于根据本发明配置的无线装置内的特定组件。

具体实施方式

描述一种用于数/模转换的电路。所述电路包含数/模转换器(DAC)，其包含双级联电流源和差动电流模式开关(DCMS)。所述电路还包含直流(DC)补偿级。所述电路进一步包含负载衰减器。

双级联电流源可位于所述DCMS与导轨电压之间。所述DAC的输出可输入到负载衰减器中。所述DC补偿级的输出可输入到负载衰减器中。所述双级联电流源可包含第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。第一PMOS晶体管的源极可连接到导轨电压，且第一PMOS晶体管的栅极可连接到第一偏压电压。所述双级联电流源还可包含第二PMOS晶体管。第二PMOS晶体管的源极可连接到第一PMOS晶体管的漏极，且第二PMOS晶体管的栅极可连接到第二偏压电压。

来自负载衰减器的DAC的电阻可等于第二PMOS晶体管的跨导乘以第一电阻乘以第二电阻。第一电阻可以是第二PMOS晶体管的从漏极到源极的电阻，且第二电阻可以是第一PMOS晶体管的从漏极到源极的电阻。

所述DCMS可包含第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。第一PMOS晶体管的源极可连接到所述双级联电流源的输出端。第一PMOS晶体管的栅极可连接到第一数据输入端，且第一PMOS晶体管的漏极可连接到第一输出端。所述DCMS还可包含第二PMOS晶体管。第二PMOS晶体管的源极可连接到所述双级联电流源的输出端。第二PMOS晶体管的栅极可连接到第二数据输入端，且第二PMOS晶体管的漏极可连接到第二输出端。

DC补偿级可包含第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。第一PMOS晶体管的源极可连接到导轨电压，第一PMOS晶体管的漏极可连接到第一输出端，且第一PMOS晶体管的栅极可连接到PMOS偏压电压(VBP)。所述DC补偿级还可包含第二PMOS晶体管。第二PMOS晶体管的源极可连接到导轨电压，第二PMOS晶体管的漏极可连接到第二输出端，且第二PMOS晶体管的栅极可连接到VBP。