[发明专利]具有内建负载衰减器的宽带数/模转换器

权利要求书

1.一种用于数/模转换的电路，其包括：

数/模转换器DAC，其中所述DAC包括双级联电流源和差动电流模式开关DCMS；

直流DC补偿级；以及

负载衰减器。

2.根据权利要求1所述的电路，其中所述双级联电流源位于所述DCMS与导轨电压之间。

3.根据权利要求1所述的电路，其中所述DAC的输出经输入到所述负载衰减器中。

4.根据权利要求1所述的电路，其中所述DC补偿级的输出经输入到所述负载衰减器中。

5.根据权利要求1所述的电路，其中所述双级联电流源包括：

第一p型金属氧化物半导体PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的源极连接到导轨电压且所述第一PMOS晶体管的栅极连接到第一偏压电压；以及

第二PMOS晶体管，其中所述第二PMOS晶体管的源极连接到所述第一PMOS晶体管的漏极且所述第二PMOS晶体管的栅极连接到第二偏压电压。

6.根据权利要求5所述的电路，其中来自所述负载衰减器的所述DAC的电阻等于所述第二PMOS晶体管的跨导乘以第一电阻乘以第二电阻，其中所述第一电阻是所述第二PMOS晶体管的从漏极到所述源极的电阻，且其中所述第二电阻是所述第一PMOS晶体管的从所述漏极到所述源极的电阻。

7.根据权利要求1所述的电路，其中所述DCMS包括：

第一p型金属氧化物半导体PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的源极连接到所述双级联电流源的输出端，所述第一PMOS晶体管的栅极连接到第一数据输入端，且所述第一PMOS晶体管的漏极连接到第一输出端；以及

第二PMOS晶体管，其中所述第二PMOS晶体管的源极连接到所述双级联电流源的所述输出端，所述第二PMOS晶体管的栅极连接到第二数据输入端，且所述第二PMOS晶体管的漏极连接到第二输出端。

8.根据权利要求1的电路，其中所述DC补偿级包括：

第一p型金属氧化物半导体PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的源极连接到导轨电压，其中所述第一PMOS晶体管的漏极连接到第一输出端，且其中所述第一PMOS晶体管的栅极连接到PMOS偏压电压VBP；以及

第二PMOS晶体管，其中所述第二PMOS晶体管的源极连接到导轨电压，其中所述第二PMOS晶体管的漏极连接到第二输出端，且其中所述第二PMOS晶体管的栅极连接到VBP。

9.根据权利要求1所述的电路，其中所述负载衰减器包括：

第一放大器，其中所述第一放大器的正输入端接收第一参考信号；

第一p型金属氧化物半导体PMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的源极连接到所述负载衰减器的第一输入端和所述第一放大器的负输入端，其中所述第一PMOS晶体管的栅极连接到所述第一放大器的输出端，且其中所述第一PMOS晶体管的漏极连接到所述负载衰减器的第一输出端；

第二放大器，其中所述第二放大器的正输入端接收第二参考信号；

第二PMOS晶体管，其中所述第二PMOS晶体管的源极连接到所述负载衰减器的第二输入端和所述第二放大器的负输入端，其中所述第二PMOS晶体管的栅极连接到所述第二放大器的输出端，且其中所述第二PMOS晶体管的漏极连接到所述负载衰减器的第二输出端。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述第一放大器和第二放大器具有转移函数，其中所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管具有跨导，且其中来自所述DAC的所述负载衰减器的电阻是所述转移函数与所述跨导的商的倒数。

11.根据权利要求所述1的电路，其中来自所述负载衰减器的所述DAC的电阻与来自所述DAC的所述负载衰减器的电阻的比率不受负载电阻限制。

12.根据权利要求1所述的电路，其中输出摆动未显示于所述DAC中，从而减小所述DAC的信号/代码相依行为。

13.根据权利要求1所述的电路，其中所述负载衰减器所需的额外电流由所述DC补偿级供应。

14.根据权利要求1所述的电路，其中所述负载衰减器的输入节点的低阻抗实现短时脉冲波形干扰能量的快速释放。