[发明专利]光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及光信息记录介质用的记录层、光信息记录介质及对该记录层的形成有用的溅射靶。

背景技术

光信息记录介质(光盘)以CD、DVD、BD等光盘为代表，根据记录再生方式，大致分为再生专用型、追记型及重写型这3种。其中，追记型光盘的记录方式主要分为使记录层发生相变化的相变化方式、使多个记录层发生反应的层间反应方式、使构成记录层的化合物分解的方式、在记录层上局部形成孔及坑等记录标记的开孔方式。

在所述相变化方式中，作为记录层的材料提出了一种利用了基于记录层的结晶化的光学特性的变化的材料。例如在专利文献1中，提出了含有Te-O-M(M是从金属元素、半金属元素及半导体元素中选出的至少1种元素)的记录层，在专利文献2中提出了含有Sb及Te的记录层。

作为所述层间反应方式的光信息记录介质的记录层，例如在专利文献3中提出了如下记录层，其中，第一记录层为由含有In-O-(Ni、Mn、Mo)的合金构成的层，且第二记录层为由含有Se及/或Te元素、O(氧)、及从Ti、Pd、Zr中选出的一个元素的合金构成的层。另外，在专利文献4中提出了层叠第一记录层：以In为主成分的金属、以及第二记录层：含有属于5B族或6B族的至少1种元素的氧化物以外的金属或非金属，通过基于加热的反应或合金化来进行记录。

作为使构成所述记录层的化合物分解的方式的记录层，例如在专利文献5中示出了以氮化物为主成分的记录层，并研讨了通过加热使该氮化物分解而进行记录的材料及有机色素材料。

作为所述开孔方式的记录层，研讨了由低熔点金属材料构成的记录层。例如在专利文献6中提出了由在Sn合金中添加了3B族、4B族、5B族的元素的合金构成的记录层。在专利文献7中提出了由含有1～50原子％的范围的Ni及/或Co的Sn基合金构成的记录层。另外，在专利文献8中示出了由含有20～65原子％的Co的In合金、以及在此基础上还含有19原子％以下的从Sn、Bi、Ge、Si中选出的1种以上的元素的In合金构成的记录层。

进而，在专利文献9中示出了实质上由Pd、Ag、O构成，且限定了这些Pd、Ag、O的原子数的比率的记录层。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本国特开2005-135568号公报

专利文献2：日本国特开2003-331461号公报

专利文献3：日本国特开2003-326848号公报

专利文献4：日本国专利第3499724号公报

专利文献5：国际公开第2003/101750号文件

专利文献6：日本国特开2002-225433号公报

专利文献7：日本国特开2007-196683号公报

专利文献8：日本国专利第4110194号公报

专利文献9：日本国特开2005-238516号公报

作为光信息记录介质所追求的要求特性，主要追求具有足以再生的反射率、能够以实用性的记录激光功率进行记录、记录信号具有足以再生的信号振幅(高调制度)等。

但是，作为现有技术而公开的记录材料，难以由记录材料单体满足这些要求特性，在所述相变化方式中，由于单独记录层的反射率低，所以为了提高光盘状态下的反射率需要设置反射膜，且为了增加调制度，在记录层上下还需要设置ZnS-SiO₂等电介质层，从而构成光盘的层数增多。另外，在所述层间反应方式中也需要设置多个记录层，所以构成光盘的层数增多。因此存在膜层数增多而使得生产率下降的问题。与此相对，在所述开孔方式中，记录层自身的反射率高，而且还能够确保大的调制度，所以能够减少构成光盘的层的数目，但为了达到更高的记录灵敏度还需要进一步的研讨。另外，像专利文献9那样只是形成Pd或Ag的氧化物的话，难以获得稳定且进一步提高记录特性。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而实现的，其目的在于提供在减少光盘层数的同时满足上述要求特性，从而能够提高光信息记录介质的生产率的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质、及对该记录层的形成有用的溅射靶。

本发明包括以下方式。

(1)一种光信息记录介质用记录层，其通过激光的照射进行记录，其特征在于，