[发明专利]太阳能电池用透明导电性基板及太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池用透明导电性基板，其为在衬底上从所述衬底侧起依次至少具有氧化硅层和氧化锡层的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，在所述氧化硅层和氧化锡层之间的所述氧化硅层之上具有由氧化锡构成的不连续的凸部和由实质上不含有氧化锡的氧化物构成的结晶性薄膜。

2.如权利要求1所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述凸部和所述结晶性薄膜均以与所述氧化锡层接触的方式进行设置。

3.如权利要求1所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述凸部被所述结晶性薄膜覆盖。

4.如权利要求1～3中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述凸部是平均底面径为20～1000nm、平均密度为1～100个/μm²、在所述氧化硅层的表面上的平均覆盖率达到3～90％的凸部。

5.如权利要求1～4中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述凸部是平均高度为10～200nm、平均底面径为20～1000nm、平均密度为1～100个/μm²、在所述氧化硅层的表面上的平均覆盖率达到3～90％的凸部。

6.如权利要求1～5中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述凸部是通过使用四氯化锡和水并且所述水和所述四氯化锡的量以摩尔比(H₂O/SnCl₄)计在60倍以下的常压CVD法而形成的。

7.如权利要求1～6中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，C光源雾度为5～40％。

8.如权利要求7所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述凸部是通过使用四氯化锡和水并且所述水和所述四氯化锡的量以摩尔比(H₂O/SnCl₄)计在30倍以下的常压CVD法而形成的。

9.如权利要求1～8中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，所述结晶性薄膜为氧化钛层。

10.如权利要求1～9中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板，其特征在于，在所述衬底和所述氧化硅层之间还具有氧化钛层。

11.一种太阳能电池，其特征在于，使用了权利要求1～10中任一项所述的太阳能电池用透明导电性基板。

12.一种太阳能电池用透明导电性基板的制造方法，为通过常压CVD法在衬底表面依次至少形成氧化硅层、由氧化锡构成的不连续凸部、由实质上不含有氧化锡的氧化物构成的结晶性薄膜和氧化锡层来制造太阳能电池用透明导电性基板的方法，其特征在于，所述凸部是通过使用四氯化锡和水并且所述水和所述四氯化锡的量以摩尔比(H₂O/SnCl₄)计在60倍以下的常压CVD法而形成的。