[发明专利]电容装置和谐振电路

说明书

技术领域

本发明涉及电容装置以及配置有该电容装置的谐振电路，更具体地，涉及能够调整使用中的电容装置中产生的应力的电容装置以及谐振电路。

背景技术

近年来，随着电子设备的小型化及其可靠性增强，作为在电子设备中使用的电子元件，需求开发小型化电容装置。为了使电容装置的尺寸减小而容量增大，提出了多层陶瓷电容器，在该多层陶瓷电容器中，外部电极形成在其中交替层叠有介电层和内部电极层的多层介电装置主体中(专利文献1)。

专利文献1描述了通过将残余应力最终施加至制造的多层陶瓷电容器的多层介电装置主体，来使得介电常数和将获得的电容增加。此外，，由于通过如上所述将残余应力最终施加至多层陶瓷电容器的多层介电装置主体，而使得介电常数增加，所以，进一步的小型化变得可能。

专利文献1：WO 2005/050679

发明内容

本发明要解决的问题

顺便提及，当对于要使用的各个电容装置，电容不同时，存在不能精确确保电子设备的性能的问题。因此，存在对使用电容装置时将电容调整为相同的需求。

此外，尽管近年来正在开发使用其电容根据所施加的控制电压改变的介电层的电容装置(可变电容装置)，但是在这种可变电容装置中，存在还要确保对于小控制电压也有足够变化率的需求。

鉴于上述的情况，本发明提供了一种能够精确地确保电容值的电容装置、能够确保足够的电容变化率的可变电容装置以及使用这些电容装置的谐振电路。

解决问题采取的手段

为了解决上述问题并实现上述目标，根据本发明实施方式的电容装置包括：电容装置主体，该电容装置主体由介电层和夹置介电层并在介电层中产生期望电场的至少一对电容装置电极；以及应力调整部，用于调整在电容装置主体的介电层中产生的应力。

在根据本发明的电容装置中，可以通过应力调整部调整电容装置主体的介电层中产生的应力。结果，可以控制相对介电常数、介电损耗等的特性。

根据本发明的谐振电路包括谐振电容器和连接至谐振电容器的谐振线圈。谐振电容器包括：包括电容装置主体的电容装置，其中该电容装置主体包括介电层和夹置介电层并在介电层中产生期望电场的至少一对电容装置电极；以及应力调整部，用于调整电容装置主体的介电层中产生的应力。

本发明的效果

根据本发明，可以获得其电容值被精确调整的电容装置。此外，在使用其电容根据从外部施加到介电层的控制电压而改变的介电材料的情况下，提高了电容变化率。此外，通过在谐振电路中使用这种电容装置，可以改善谐振电路的性能。

附图说明

图1是根据本发明第一实施方式的可变电容装置的示意性截面图；

图2是构成可变电容装置的可变电容装置主体的示意性平面图；

图3是根据第一实施方式的可变电容装置的等效电路图；

图4是在可变电容装置运行的情况下包括信号电压电源、控制电压电源以及应力调整电压电源的电路结构图；

图5是根据本发明第二实施方式的可变电容装置的示意性截面图；

图6是根据本发明第三实施方式的可变电容装置的示意性截面图；

图7是根据本发明第四实施方式的可变电容装置的示意性截面图；

图8是根据比较例的可变电容装置的示意性截面图；

图9A和图9B是示出将DC偏压作为控制电压施加至实施例1的可变电容装置和比较例的可变电容装置的情况下，电容和电容变化率的变化的示图；

图10是根据本发明第五实施方式的可变电容装置的示意性截面图；

图11A和图11B是示出将DC偏压作为控制电压施加至实施例2的可变电容装置的情况下，电容和电容变化率的变化的示图；

图12是根据本发明第六实施方式的可变电容装置的示意性截面图；

图13是根据本发明第七实施方式的使用谐振电路的非接触IC卡的接收系统中的电路部的框图；以及

图14是用于说明原理的可变电容装置的示意性截面图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图描述根据本发明实施方式的电容装置以及配置有该电容装置的电子设备的示例。本发明的实施方式将以如下顺序描述。应该注意的是，本发明不限于以下的示例。

1.第一实施方式：本发明应用于可变电容装置的示例

1-1原理

1-2可变电容装置的结构

1-3可变电容装置的制造方法

1-4可变电容装置的操作