[发明专利]Cu膜的成膜方法及存储介质

权利要求书

1.一种Cu膜的成膜方法，其包含以下工序：

在处理容器内收纳基板的工序；

以气相状态将含1价脒基铜的成膜原料和含羧酸的还原剂导入至所述处理容器内的工序；

使所述成膜原料与所述还原剂在基板上反应而使Cu膜沉积在基板上的工序。

2.根据权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其中，所述成膜原料所含的1价脒基铜为N，N′-二仲丁基乙脒基Cu(I)。

3.根据权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其中，构成所述还原剂的羧酸为甲酸。

4.根据权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其中，构成所述还原剂的羧酸为乙酸。

5.根据权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，使成膜时的基板温度为200℃以下。

6.根据权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，其将含1价脒基铜的成膜原料和含羧酸的还原剂同时供至所述处理容器内。

7.根据权利要求1所述的Cu膜的成膜方法，隔着吹扫气体的供给，交替地向所述处理容器内供给含1价脒基铜的成膜原料和含羧酸的还原剂。

8.一种存储介质，其为在计算机上运行、存储有用于控制成膜装置的程序的存储介质，所述程序在执行时进行包含以下工序的Cu膜的成膜方法：在处理容器内收纳基板的工序；以气相状态将含1价脒基铜的成膜原料和含羧酸的还原剂导入至所述处理容器内的工序；使所述成膜原料与所述还原剂在基板上反应而使Cu膜沉积在基板上的工序。